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公开(公告)号：CN102041479B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201010522145.X
申请日：2010-10-22
Abstract: 本发明提供一种技术，其在使用Al-(Ni、Co)-(La、Nd)系合金或Al-(Ni、Co)-(La、Nd)-(Cu、Ge)系合金作为溅射靶时，能够降低飞溅、特别是初期飞溅的发生。本发明涉及一种Al基合金溅射靶，其含有从由Ni和Co构成的A组中选出的至少一种，和从由La和Nd构成的B组中选出的至少一种，测量在与所述溅射靶的轧制面垂直的截面中、与轧制方向平行的面中的轧制方向的晶粒直径时，平均晶粒直径为500μm以下，并且最大晶粒直径为1500μm以下。
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公开(公告)号：CN100575542C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200710192798.4
申请日：2007-11-20
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18 , B22F9/082 , B22F2998/10 , C22C21/00 , C23C4/08 , C23C4/123 , H01J37/3426 , H01J37/3429
Abstract: 本发明涉及一种含有Ni和La的Al-Ni-La体系Al-基合金溅射靶，其中，当通过扫描电子显微镜在2000倍的放大倍数观察垂直于溅射靶平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)的截面时，(1)按面积分数计，平均粒径为0.3μm至3μm的Al-Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni体系金属间化合物的总面积为70%以上，所述Al-Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成；和(2)按面积分数计，平均粒径为0.2μm至2μm的Al-La体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-La体系金属间化合物的总面积为70%以上，所述Al-La体系金属间化合物主要由Al和La组成。
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公开(公告)号：CN100523279C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200610009203.2
申请日：2006-02-15
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C22C1/0416 , B22F2003/248 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C21/00 , C23C14/3414 , B22F9/082 , B22F3/1208 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18 , B22F3/24 , B22F2201/02
Abstract: 本发明提供一种可以减小制造时以及使用时所产生的翘曲(变形)，并能够高精度、高效率地制造靶，而且可以进行稳定的成膜作业的Al-Ni-稀土类元素合金溅射靶。是一种包含Ni以及1或2种以上稀土类元素的Al基合金溅射靶，其特征在于，在以倍率：2000倍以上观察与该靶平面垂直的剖面的时候，纵横尺寸比为2.5以上、且当量圆直径为0.2μm以上的化合物存在5.0×104个/mm2以上。
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公开(公告)号：CN102041479A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010522145.X
申请日：2010-10-22
Abstract: 本发明提供一种技术，其在使用Al-(Ni、Co)-(La、Nd)系合金或Al-(Ni、Co)-(La、Nd)-(Cu、Ge)系合金作为溅射靶时，能够降低飞溅、特别是初期飞溅的发生。本发明涉及一种Al基合金溅射靶，其含有从由Ni和Co构成的A组中选出的至少一种，和从由La和Nd构成的B组中选出的至少一种，测量在与所述溅射靶的轧制面垂直的截面中、与轧制方向平行的面中的轧制方向的晶粒直径时，平均晶粒直径为500μm以下，并且最大晶粒直径为1500μm以下。
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公开(公告)号：CN101220458B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200710193219.8
申请日：2007-11-20
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C21/00 , Y10T428/12229
Abstract: 本发明涉及一种Al-基合金溅射靶，其包含0.05至10原子％的量的Ni，其中当根据电子反向散射衍射花样法观察Al-基合金溅射靶的溅射表面的法线方向上的结晶取向 、 、 和 时，所述Al-基合金溅射靶满足：(1)P值对溅射表面的总面积的比率为70％以上，其中P值表示 ±15°、 ±15°、 ±15°和 ±15°的面积分数的总和；(2) ±15°的面积分数对P值的比率为30％以上；和(3) ±15°的面积分数对P值的比率为10％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101220458A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710193219.8
申请日：2007-11-20
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C21/00 , Y10T428/12229
Abstract: 本发明涉及一种Al－基合金溅射靶，其包含0.05至10原子％的量的Ni，其中当根据电子反向散射衍射花样法观察Al－基合金溅射靶的溅射表面的法线方向上的结晶取向 、 、 和 时，所述Al－基合金溅射靶满足：(1)P值对溅射表面的总面积的比率为70％以上，其中P值表示 ±15°、 ±15°、 ±15°和 ±15°的面积分数的总和；(2) ±15°的面积分数对P值的比率为30％以上；和(3) ±15°的面积分数对P值的比率为10％以下。
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公开(公告)号：CN1821437A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610009203.2
申请日：2006-02-15
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C22C1/0416 , B22F2003/248 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C21/00 , C23C14/3414 , B22F9/082 , B22F3/1208 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18 , B22F3/24 , B22F2201/02
Abstract: 本发明提供一种可以减小制造时以及使用时所产生的翘曲(变形)，并能够高精度、高效率地制造靶，而且可以进行稳定的成膜作业的Al－Ni－稀土类元素合金溅射靶。是一种包含Ni以及1或2种以上稀土类元素的Al基合金溅射靶，其特征在于，在以倍率：2000倍以上观察与该靶平面垂直的剖面的时候，纵横尺寸比为2.5以上、且当量圆直径为0.2μm以上的化合物存在5.0×104个/mm2以上。
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公开(公告)号：CN101187007A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710192798.4
申请日：2007-11-20
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18 , B22F9/082 , B22F2998/10 , C22C21/00 , C23C4/08 , C23C4/123 , H01J37/3426 , H01J37/3429
Abstract: 本发明涉及一种含有Ni和La的Al－Ni－La体系Al－基合金溅射靶，其中，当通过扫描电子显微镜在2000倍的放大倍数观察垂直于溅射靶平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)的截面时，(1)按面积分数计，平均粒径为0.3μm至3μm的Al－Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al－Ni体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al－Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成；和(2)按面积分数计，平均粒径为0.2μm至2μm的Al－La体系金属间化合物的总面积相对于全部Al－La体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al－La体系金属间化合物主要由Al和La组成。
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公开(公告)号：CN108886059A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780021237.X
申请日：2017-04-03
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/786
Abstract: 一种在基板上按顺序至少具有氧化物半导体层、栅绝缘膜、栅电极、源‑漏电极和保护膜，此外还含有保护层的薄膜晶体管，其中，所述氧化物半导体层由以特定的原子数比含有In、Ga、Sn和O的氧化物构成，所述保护层含有SiNx，并且迁移率为35cm2/Vs以上。
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公开(公告)号：CN108780817A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780013390.8
申请日：2017-02-02
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 一种薄膜晶体管，是在基板上至少具有栅电极、栅绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极、和至少一层保护膜的薄膜晶体管，其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素含有In、Ga、Zn、和Sn，所述氧化物半导体层的各金属元素对于全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+Sn)的比例为，In：20～45原子％，Ga：5～20原子％，Zn：30～60原子％，和Sn：9～25原子％。
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