发明公开
CN101188242A 薄膜晶体管基板及其制造方法
无效 - 撤回
- 专利标题: 薄膜晶体管基板及其制造方法
- 专利标题(英): Thin film transistor substrate and method of producing the same
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申请号: CN200710192825.8申请日: 2007-11-20
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公开(公告)号: CN101188242A公开(公告)日: 2008-05-28
- 发明人: 郑钟铉 , 李炳珍 , 朴弘植 , 洪瑄英 , 金俸均 , 申原硕
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陶凤波
- 优先权: 114702/06 2006.11.20 KR
- 主分类号: H01L27/12
- IPC分类号: H01L27/12 ; H01L23/522 ; H01L21/84 ; H01L21/768 ; G02F1/1362
摘要:
本发明提供一种具有降低的制造成本和缺陷率的薄膜晶体管基板。所述薄膜晶体管基板包括:栅极布线,形成于绝缘基板上且包括栅电极;数据布线,形成于所述栅极布线上且包括源电极和漏电极;钝化层图案,形成于除了所述漏电极和像素区之外的部分所述数据布线上;以及电连接到所述漏电极的像素电极。所述像素电极包括氧化锌。
IPC分类: