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公开(公告)号：CN105426071A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510595070.0
申请日：2015-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/0484 , G06F3/0487
Abstract: 公开了一种电子装置以及控制其屏幕的显示的方法。所述方法包括：选择第一图像和第二图像；选择包括至少一个第一区域和至少一个第二区域的掩模图案；测量电子装置的倾斜度；基于测量出的电子装置的倾斜度，确定第一图像的显示在与所述至少一个第一区域相应的屏幕中的部分以及第二图像的显示在与所述至少一个第二区域相应的屏幕中的部分，并将第一图像的所确定的部分和第二图像的所确定的部分输出在显示单元上。
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公开(公告)号：CN101159171B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200710092110.5
申请日：2007-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种具有楔形电阻性尖端的半导体探针及该半导体探针的制造方法。所述半导体探针包括：掺杂有第一杂质的电阻性尖端，具有掺杂有极性与所述第一杂质相反的低浓度的第二杂质的电阻区，并在所述电阻性尖端的两侧斜面上具有掺杂有高浓度的第二杂质的第一和第二半导体电极区；和悬臂，在其边缘上具有所述电阻性尖端，其中所述电阻性尖端的端部具有楔形。
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公开(公告)号：CN100521275C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200510135660.1
申请日：2005-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种MLD(磁逻辑装置)以及制造和操作该磁逻辑装置的方法。所述MLD包括：第一互连部分；下磁层，形成在所述第一互连部分上，所述下磁层的磁方向被固定为预定方向；非磁层，形成在所述下磁层上；上磁层，形成在所述非磁层上，所述上磁层的磁方向与所述下磁层的磁方向平行或反向平行；第二互连部分，形成在所述上磁层上。第一电流源置于第一互连部分的一端和第二互连部分的一端之间，第二电流源置于第一互连部分的另一端和第二互连部分的另一端之间。
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公开(公告)号：CN101490750A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780026478.X
申请日：2007-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B9/02
Abstract: 本发明提供了用于从信息存储介质的表面电荷读取信息的电场信息读头，该电场信息读头包括：半导体衬底，具有在面向记录介质的表面的一端的中部中形成的电阻区域，该电阻区域用杂质轻掺杂；以及源极区域和漏极区域，在电阻区域的两侧上形成，该源极区域和漏极区域与电阻区域相比用杂质更重地掺杂。源极区域和漏极区域沿半导体衬底的面向记录介质的表面延伸，电极分别与源极区域和漏极区域电连接。此外，本发明提供了电场信息读头的制造方法以及在晶片上批量制造电场信息读头的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101487960A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910001897.9
申请日：2009-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/027 , G03F1/14
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/4908
Abstract: 一种显示基板，所述显示基板包括绝缘基板、薄膜晶体管、像素电极、信号线和焊盘部件。绝缘基板具有显示区和包围显示区的外围区域。薄膜晶体管在绝缘基板的显示区中。像素电极在绝缘基板的显示区中并电连接到薄膜晶体管。信号线在绝缘基板上并从外围区域向显示区延伸。焊盘部/件在外围区域中并电连接到信号线。焊盘部件形成于绝缘基板的沟槽中，并且包括延伸进绝缘基板中的区域。因此，信号线可以固定连接到绝缘基板。
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公开(公告)号：CN101447490A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810173348.5
申请日：2008-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金彰洙 , 宁洪龙 , 金俸均 , 朴弘植 , 金时烈 , 郑敞午 , 金湘甲 , 尹在亨 , 李禹根 , 裴良浩 , 尹弼相 , 郑钟铉 , 洪瑄英 , 金己园 , 李炳珍 , 李永旭 , 金钟仁 , 金炳范 , 徐南锡
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 一种阵列基板，其中栅极线包括形成在基部基板上的第一种子层和形成在所述第一种子层上的第一金属层。第一绝缘层形成在所述基部基板上。第二绝缘层形成在所述基部基板上。在这里，线沟槽沿与所述栅极线相交叉的方向穿过所述第二绝缘层形成。数据线包括形成在所述线沟槽下的第二种子层和形成在所述线沟槽中的第二金属层。像素电极形成在所述基部基板的像素区域。因此，使用绝缘层来形成预定深度的沟槽，并且通过电镀方法形成金属层，从而能够形成具有足够厚度的金属线。本发明还提供了一种阵列基板制造方法。
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公开(公告)号：CN100375295C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN03810213.7
申请日：2003-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: G01Q60/30
Abstract: 本发明公开了一种利用自对准工艺制造具有场效应晶体管(FET)沟道结构的扫描探针显微镜(SPM)的探针的方法。所提供的方法包括：第一步骤，在衬底上形成第一形状的掩膜层，并在衬底中的除了由掩膜层所遮盖的区域以外的区域中形成源极区和漏极区；第二步骤，沿垂直于掩膜层的方向构图第一形状的光阻材料，并进行蚀刻工艺，以形成第二形状的掩膜层；以及第三步骤，蚀刻衬底中的除了由掩膜层遮盖的区域以外的区域以形成探针。所提供的方法将尖端的中心与源极区和漏极区之间存在的沟道中心对准，以实现数十纳米大小的尖端。从而，利用具有尖端的这种探针可以轻易制造纳米器件。
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公开(公告)号：CN1996470A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610121482.1
申请日：2006-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/1436 , B82Y10/00 , H02K41/0354 , H02K2201/18 , Y10S977/947
Abstract: 本发明公开了一种具有分离的平台的微致动器以及一种采用该微致动器的数据存储设备。所述微致动器包括：支承单元；由所述支承单元弹性支承的多个平台，各个平台具有目标驱动体安装于其上的安装表面，并且各个平台布置得相互相邻；布置在多个平台之间的多个控制杆，各个控制杆具有分别连接相邻平台的两端，并且控制杆对相邻平台施加力，从而当平台之一运动时，相邻的平台在所述平台的运动方向的相反方向上运动；和分别对所述平台提供驱动力的驱动单元。
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公开(公告)号：CN1963953A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610121326.5
申请日：2006-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体探头和一种利用所述半导体探头写入和读取信息的方法。所述半导体探头包括悬臂和形成于所述悬臂的一个末端部分上的尖端，从而在位于形成了电极的表面上的铁电媒质上写入信息或从其上读取信息。所述尖端包括轻度掺杂了半导体杂质的电阻性区域和重度掺杂了半导体杂质的导电区域。所述悬臂包括形成于面对所述媒质的底面上的静电力生成电极。通过在形成于所述铁电媒质上的电极和所述静电力生成电极之间有选择地施加电压调整所述尖端和所述媒质之间的接触力。从而使尖端的磨损降至最低，并确保高记录密度下的写入/读取性能。
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