发明授权
CN101191194B 溅射靶及其制造方法、以及光学记录介质及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 溅射靶及其制造方法、以及光学记录介质及其制造方法
- 专利标题(英): Sputtering target and manufacturing method therefor, and optical recording medium and manufacturing method therefor
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申请号: CN200610130966.2申请日: 2006-11-22
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公开(公告)号: CN101191194B公开(公告)日: 2012-05-02
- 发明人: 三浦裕司 , 林嘉隆 , 笹登 , 藤井俊茂 , 藤原将行 , 山田胜幸 , 鸣海慎也 , 加藤将纪
- 申请人: 株式会社理光
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 株式会社理光
- 当前专利权人: 株式会社理光
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 宋莉
- 优先权: 337654/05 2005.11.22 JP; 339102/05 2005.11.24 JP; 034370/06 2006.02.10 JP; 037099/06 2006.02.14 JP
- 主分类号: C23C14/34
- IPC分类号: C23C14/34 ; C23C14/06 ; C23C14/35 ; B22F3/00 ; G11B7/242
摘要:
提供一种用于形成可记录光学记录介质的记录层的溅射靶,其中该溅射靶包括Bi和Fe,且该溅射靶的堆积密度高于96%,还提供一种利用该溅射靶制造的可记录光学记录介质,该可记录光学记录介质即使在蓝色激光波长范围内也能够进行高密度记录。
公开/授权文献
- CN101191194A 溅射靶及其制造方法、以及光学记录介质及其制造方法 公开/授权日:2008-06-04
IPC分类: