- 专利标题： 电阻随机存取存储器及制造该电阻随机存取存储器的方法
- 专利标题（英）： Resistive random access memory and method of manufacturing the same
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申请号： CN200710196017.9申请日： 2007-11-28
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公开(公告)号： CN101192648B公开(公告)日： 2013-09-04
- 发明人: 徐顺爱 , 朴永洙 , 郑兰珠 , 李明宰 , 金东徹 , 安承彦
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416
- 代理机构： 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理商 郭鸿禧; 李云霞
- 优先权： 10-2006-0118560 2006.11.28 KR
- 主分类号： H01L45/00
- IPC分类号： H01L45/00 ; H01L27/24 ; G11C11/56
摘要：
本发明的示例实施例涉及一种电阻随机存取存储器(RRAM)以及制造该RRAM的方法。根据示例实施例的RRAM可以包括：下电极，可以形成在下结构(例如，基底)上；电阻层，可以形成在下电极上，其中，电阻层可以包含过渡金属掺杂物；上电极，可以形成在电阻层上。因此，过渡金属掺杂物可以在电阻层中形成用作电流通路的丝。
公开/授权文献
- CN101192648A 电阻随机存取存储器及制造该电阻随机存取存储器的方法 公开/授权日：2008-06-04
IPC分类:
