公开(公告)号：CN101192648B

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN200710196017.9

申请日：2007-11-28

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 徐顺爱 ,  朴永洙 ,  郑兰珠 ,  李明宰 ,  金东徹 ,  安承彦

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

CPC分类号： H01L45/165 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： 本发明的示例实施例涉及一种电阻随机存取存储器(RRAM)以及制造该RRAM的方法。根据示例实施例的RRAM可以包括：下电极，可以形成在下结构(例如，基底)上；电阻层，可以形成在下电极上，其中，电阻层可以包含过渡金属掺杂物；上电极，可以形成在电阻层上。因此，过渡金属掺杂物可以在电阻层中形成用作电流通路的丝。

公开(公告)号：CN1996570A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200610172410.X

申请日：2006-12-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李琎一 ,  李忠满 ,  赵性来 ,  郑兰珠 ,  姜相列 ,  朴瑛琳

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L27/24 ,  H01L23/532 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC分类号： H01L21/32051 ,  H01L21/28562 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

摘要： 一种制造相变随机存取存储器件(RAM)的方法，包括在衬底上形成硫化物材料。在硫化物材料之下形成底接触，该底接触包括TiAlN。形成底接触包括执行原子层淀积(ALD)工序，ALD工序包括将NH3源气体引入处理室，在该处理室中执行ALD工序，NH3气体的流量为使得所得的底接触具有小于1at％的氯含量。根据全宽半幅(FWHM)，该底接触包括具有小于0.65度的结晶度的TiAlN。

公开(公告)号：CN101192648A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200710196017.9

申请日：2007-11-28

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 徐顺爱 ,  朴永洙 ,  郑兰珠 ,  李明宰 ,  金东徹 ,  安承彦

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

CPC分类号： H01L45/165 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： 本发明的示例实施例涉及一种电阻随机存取存储器(RRAM)以及制造该RRAM的方法。根据示例实施例的RRAM可以包括：下电极，可以形成在下结构(例如，基底)上；电阻层，可以形成在下电极上，其中，电阻层可以包含过渡金属掺杂物；上电极，可以形成在电阻层上。因此，过渡金属掺杂物可以在电阻层中形成用作电流通路的丝。

公开(公告)号：CN101325218A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810110124.X

申请日：2008-06-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑现钟 ,  郑兰珠 ,  徐顺爱 ,  金东彻 ,  李章元

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/12 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/18 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/11807 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/2203 ,  H01L29/7606 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明提供一种场效应晶体管、包括场效应晶体管的逻辑电路及制造方法。所述场效应晶体管可包括：双极性层，包括源区、漏区以及源区和漏区之间的沟道区，其中，源区、漏区以及沟道区以单片结构形成；栅电极，位于沟道区上；绝缘层，隔离栅电极与双极性层，其中，在与第一方向相交的第二方向上，源区和漏区的宽度大于沟道区的宽度，源区和漏区在第一方向上彼此连接。

公开(公告)号：CN101325218B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200810110124.X

申请日：2008-06-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑现钟 ,  郑兰珠 ,  徐顺爱 ,  金东彻 ,  李章元

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/12 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/18 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/11807 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/2203 ,  H01L29/7606 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明提供一种场效应晶体管、包括场效应晶体管的逻辑电路及制造方法。所述场效应晶体管可包括：双极性层，包括源区、漏区以及源区和漏区之间的沟道区，其中，源区、漏区以及沟道区以单片结构形成；栅电极，位于沟道区上；绝缘层，隔离栅电极与双极性层，其中，在与第一方向相交的第二方向上，源区和漏区的宽度大于沟道区的宽度，源区和漏区在第一方向上彼此连接。