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公开(公告)号：CN101719510B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN200910177796.7
申请日：2009-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7613 , B82Y10/00 , H01L29/1029 , H01L29/16 , H01L29/1606 , H01L29/66977
Abstract: 本发明公开了一种量子干涉晶体管及其制造和操作方法。一种量子干涉晶体管可以包括：源极；漏极；N个沟道(N≥2)，位于源极和漏极之间，并具有N-1个在源极和漏极之间的路径差；至少一个栅极，设置在N个沟道中的一个或多个沟道处。N个沟道中的一个或多个沟道可以形成在石墨烯片中。一种制造所述量子干涉晶体管的方法可以包括利用石墨烯片形成N个沟道中的一个或多个沟道。一种操作所述量子干涉晶体管的方法可以包括将电压施加到至少一个栅极。电压可以使穿过形成有所述至少一个栅极的沟道的电子波的相位移位。
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公开(公告)号：CN101192648B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN200710196017.9
申请日：2007-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/165 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明的示例实施例涉及一种电阻随机存取存储器(RRAM)以及制造该RRAM的方法。根据示例实施例的RRAM可以包括：下电极，可以形成在下结构(例如，基底)上；电阻层，可以形成在下电极上，其中，电阻层可以包含过渡金属掺杂物；上电极，可以形成在电阻层上。因此，过渡金属掺杂物可以在电阻层中形成用作电流通路的丝。
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公开(公告)号：CN102569398A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110230441.7
申请日：2011-08-12
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/41733 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了一种具有多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：基板；形成在基板上的栅电极；第一栅绝缘膜，覆盖基板上的栅电极；多个石墨烯沟道层，形成在基板上，并且在多个石墨烯沟道层之间具有第二栅绝缘膜；源电极和漏电极，连接到每个石墨烯沟道层的两边缘。
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公开(公告)号：CN102285660A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110164676.0
申请日：2011-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B35/00 , H01L29/167
CPC classification number: H01L29/1606 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , H01L29/7781 , H01L29/78684
Abstract: 提供被氮和硼代替的石墨烯、其制造方法及具有其的晶体管，该石墨烯包括碳(C)原子被硼(B)原子和氮(N)原子部分地代替的结构。该石墨烯具有带隙。被硼和氮代替的石墨烯可用作场效应晶体管的沟道。该石墨烯可通过使用环硼氮烷或氨硼烷作为氮化硼(B-N)前体进行化学气相沉积(CVD)方法形成。
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公开(公告)号：CN1953230B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200610142422.8
申请日：2006-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/1052 , H01L27/115 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/1608
Abstract: 本发明提供了一种包括纳米点的非易失性存储器件及其制造方法。该包括由电阻-变化材料形成的氧化物层的所述非易失性存储器件包括：下电极；形成在所述下电极上并包括过渡金属氧化物的氧化物层；形成在所述氧化物层中并使所述氧化物层内部的电流通路一致的纳米点；以及，形成在所述氧化物层上的上电极。在本发明中，氧化物层内部的电流通路一致，由此稳定了重置电流。
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公开(公告)号：CN101964440A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010194822.X
申请日：2010-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03B15/006 , Y10T428/1121
Abstract: 本发明涉及一种振荡器及其操作方法。该振荡器利用磁畴壁的磁矩的进动来产生信号。振荡器包括具有磁畴壁的自由层和对应于磁畴壁的固定层。非磁性分隔层插置在自由层和固定层之间。
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公开(公告)号：CN100593242C
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200510120431.2
申请日：2005-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及一种包括一个电阻器和一个二极管的非挥发性存储器。其包括：底部电极；电阻器结构，布置在底部电极上；二极管结构，布置在电阻器结构上；和上部电极，布置在二极管结构上。本发明的非挥发性存储器可以用简单工艺制造，可以用低电力驱动，具有快的运作速度。
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公开(公告)号：CN101625890A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910158688.5
申请日：2009-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/1659 , G11C11/1675
Abstract: 本发明提供了一种操作包括磁阻结构和开关结构的磁随机存取存储器装置的方法。根据所述方法，当提供电流以将数据写入到磁阻结构时，可以通过控制开关结构的栅极电压来减小根据电流方向的电流变化。
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公开(公告)号：CN100456418C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200410036842.9
申请日：2004-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82B3/00 , B29C59/022 , B29C59/026 , B29C2059/023 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/32139
Abstract: 本发明公开制造自排序纳米管道阵列及纳米点的方法。该纳米管道阵列制造方法包括：进行第一阳极氧化，以在铝衬底上形成具有管道阵列的第一氧化铝层，管道阵列由多个孔穴形成；蚀刻第一氧化铝层到预定深度并在铝衬底上形成多个凹入部分，其中每个凹入部分对应于第一氧化铝层的每个管道的底部；以及进行第二阳极氧化，以在铝衬底上形成具有对应于多个凹入部分的多个管道的阵列的第二氧化铝层。该阵列制造方法能够获得精细排序的孔穴，并能使用孔穴形成纳米尺度的点。
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公开(公告)号：CN100336201C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200310116438.8
申请日：2003-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8239 , H01L21/768
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/42332 , H01L29/7881 , H01L29/792 , Y10S977/723 , Y10S977/774
Abstract: 本发明公开了一种制造带有纳米点的存储器的方法。该方法包括步骤：在一其中制有源极和漏极电极的衬底上依次淀积一第一绝缘层、一电荷储积层、一牺牲层以及一金属层；通过对金属层执行阳极氧化，在所制得的结构上形成多个孔洞，并对经这些孔洞而外露的牺牲层执行氧化；通过去除掉已被氧化的金属层，并以氧化物牺牲层作为掩模对牺牲层和电荷储积层执行蚀刻，从而将电荷储积层构图成带有纳米点；以及去除氧化后的牺牲层，在被构图后的电荷储积层上淀积一第二绝缘层和一栅极电极，并将第一绝缘层、电荷储积层、第二绝缘层以及栅极电极构图设计成预定的形状。因而，可以制出具有均匀分布的纳米级存储结的存储器。
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