发明授权
- 专利标题: 半导体封装元件及其制造方法
- 专利标题(英): Semiconductor encapsulated element and method of manufacture thereof
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申请号: CN200710194297.X申请日: 2007-12-14
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公开(公告)号: CN101207103B公开(公告)日: 2011-08-24
- 发明人: 周辉星 , 王志坚 , 拉扎克·B·奇奇克
- 申请人: 先进封装技术私人有限公司
- 申请人地址: 新加坡新加坡
- 专利权人: 先进封装技术私人有限公司
- 当前专利权人: 先进封装技术私人有限公司
- 当前专利权人地址: 新加坡新加坡
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陶凤波
- 主分类号: H01L23/495
- IPC分类号: H01L23/495 ; H01L21/48
摘要:
本发明提供一种半导体封装元件及其制造方法,该封装元件设有第一绝缘层,且设有多个孔洞于该第一绝缘层的第一表面上。此外,还设有多个封装导线,嵌设于该绝缘层中,与所述孔洞的另一端连接。多个孔洞可作为焊球连接封装导线的定位,使得半导体晶片的信号可以藉由该晶片的导体单元连至所述封装导线,并且经由焊球向外传输信号。该第一绝缘层的材料,以具有弹性模量大于1.0GPa的特性为宜。
公开/授权文献
- CN101207103A 半导体封装元件及其制造方法 公开/授权日:2008-06-25
IPC分类: