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公开(公告)号：CN104392968A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410528376.X
申请日：2009-11-20
申请人： 先进封装技术私人有限公司
IPC分类号： H01L23/24
CPC分类号： H01L23/24 , H01L23/40 , H01L24/97 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/97 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00 , H01L2224/81 , H01L2224/83
摘要： 公开一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括装置载体和加强结构。装置载体包括至少一个绝缘层和至少一个导电层，导电层定义至少一个迹线布局单元。加强结构设置在装置载体上，围绕至少一个迹线布局单元的外围。加强结构与至少一个迹线布局单元的外围间隔开设置，与装置载体形成空洞。加强结构的形状和设置增强了半导体封装件的强度，防止对半导体封装件的弯曲。
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公开(公告)号：CN102171815B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN200980144822.4
申请日：2009-11-20
申请人： 先进封装技术私人有限公司
IPC分类号： H01L23/24
CPC分类号： H01L23/24 , H01L23/40 , H01L24/97 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/97 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00 , H01L2224/81 , H01L2224/83
摘要： 公开一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括装置载体和加强结构。装置载体包括至少一个绝缘层和至少一个导电层，导电层定义至少一个迹线布局单元。加强结构设置在装置载体上，围绕至少一个迹线布局单元的外围。加强结构与至少一个迹线布局单元的外围间隔开设置，与装置载体形成空洞。加强结构的形状和设置增强了半导体封装件的强度，防止对半导体封装件的弯曲。
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公开(公告)号：CN103066051A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210401532.7
申请日：2012-10-19
申请人： 先进封装技术私人有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L21/0332 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/768 , H01L21/7685 , H01L21/76865 , H01L21/76883 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/488 , H01L23/49816 , H01L23/49861 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/97 , H01L2924/07802 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明公开一种封装基板、封装基板制作工艺、半导体元件的封装结构及制作工艺。封装基板包括一介电层、一第一导电层、一第二导电层以及一接合垫。介电层具有一上表面以及一下表面。第一导电层内埋于介电层中，并显露一第一表面于上表面。第一表面切齐上表面。第二导电层内埋于介电层中与第一导电层接触，并显露一第二表面于下表面。第二表面切齐于下表面。接合垫部分地或全部地内埋于第一导电层与介电层中，以使接合垫的周围同时被第一导电层与介电层的侧壁限制于凹穴内。
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公开(公告)号：CN102171815A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200980144822.4
申请日：2009-11-20
申请人： 先进封装技术私人有限公司
IPC分类号： H01L23/24
CPC分类号： H01L23/24 , H01L23/40 , H01L24/97 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/97 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00 , H01L2224/81 , H01L2224/83
摘要： 公开一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括装置载体和加强结构。装置载体包括至少一个绝缘层和至少一个导电层，导电层定义至少一个迹线布局单元。加强结构设置在装置载体上，围绕至少一个迹线布局单元的外围。加强结构与至少一个迹线布局单元的外围间隔开设置，与装置载体形成空洞。加强结构的形状和设置增强了半导体封装件的强度，防止对半导体封装件的弯曲。
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公开(公告)号：CN101958309A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010264703.7
申请日：2010-08-27
申请人： 先进封装技术私人有限公司
IPC分类号： H01L23/528
CPC分类号： H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L2224/1134 , H01L2224/13016 , H01L2224/13022 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/1357 , H01L2224/13644 , H01L2224/13655 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2924/00013 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099
摘要： 本发明公开一种半导体芯片互连结构及应用其的半导体封装件。半导体芯片互连结构包括芯片、凸块组及焊球。芯片包括接垫并具有接垫开孔，接垫从接垫开孔露出。凸块组包括第一凸块及第二凸块。第一凸块设于接垫。第二凸块设于第一凸块，第二凸块的外径实质上等于或大于第一凸块的外径。焊球连接于凸块组。
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公开(公告)号：CN101165885A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710154596.0
申请日：2007-09-27
申请人： 先进封装技术私人有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/11 , H01L2924/00012
摘要： 一种半导体元件及其制造方法。半导体元件具有主动表面，该半导体元件包括至少一最大径长小于100微米的连结构件及至少一凸块。连结构件设置于主动表面上。凸块设于连结构件上，而以连结构件电性连结主动表面。凸块包括柱体部及顶部，柱体部设置于连结构件上，顶部设置于柱体部的顶端。柱体部具有平行于主动表面的第一径长及第二径长，第一径长大于1.2倍的第二径长。柱体部在预设温度下，不会熔化。顶部由焊料所构成，在预设温度下，会熔化。
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公开(公告)号：CN1257541C
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN02120219.2
申请日：2002-05-20
申请人： 爱的派克技术有限公司
CPC分类号： H01L23/295 , H01L21/563 , H01L23/3737 , H01L24/11 , H01L24/29 , H01L2224/05001 , H01L2224/05026 , H01L2224/0508 , H01L2224/05568 , H01L2224/13007 , H01L2224/13021 , H01L2224/13099 , H01L2224/16225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/83192 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/00 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2224/05647 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147
摘要： 一种形成倒装芯片式半导体封装的方法，特别是形成下填半导体封装的方法，其包含以下步骤：提供具有隆起端子部分(305)的衬底(300)，在衬底(300)上设置具有填充物(27)的下填化合物(5)，在衬底(300)上放置隆起的半导体芯片(40)，其中凸起(45)靠着隆起端子部分(305)的上表面(310)，并回流该组件。在回流工艺期间，隆起端子部分(305)和凸起(45)熔化并使下填化合物(5)中的填充物(27)远离凸起(45)和隆起端子部分(305)之间位移。这防止了填充物(27)形成阻挡物。熔化的焊料形成焊盘(46)和隆起端子部分(305)之间的互连。
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公开(公告)号：CN107369668B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201710475466.0
申请日：2012-07-23
申请人： 先进封装技术私人有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/683 , H01L23/488 , H01L23/31
摘要： 本发明公开一种用于制造半导体封装元件的半导体结构。半导体结构包括载板以及绝缘层。载板具有相对的第一表面与第二表面，载板包括内层(inner layer)及外披覆层(exterior clad layer)，外披覆层包覆内层。绝缘层形成于载板的第一表面上，其中载板支撑绝缘层。
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公开(公告)号：CN105283953B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201480023460.4
申请日：2014-02-21
申请人： 先进封装技术私人有限公司
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/4828 , H01L21/4842 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L23/16 , H01L23/49541 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/544 , H01L24/97 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486
摘要： 本发明有关于一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括层组件、一个或多个支撑组件及一个或多个锚合组件，支撑组件配置在层组件的第一表面上，锚合组件配置在层组件内且连接至一个或多个支撑组件，以将一个或多个支撑组件耦接至层组件，进而强化层组件。
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公开(公告)号：CN103137570B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201210500717.3
申请日：2012-11-29
申请人： 先进封装技术私人有限公司
CPC分类号： H01L21/4857 , C25D5/022 , C25D7/12 , H01L21/02697 , H01L21/0273 , H01L21/2885 , H01L21/486 , H01L23/3107 , H01L23/48 , H01L23/49838 , H01L23/49861 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L24/73 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H05K1/0373 , H05K1/09 , H05K1/092 , H05K2201/09118 , H05K2203/0574 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开一种基板结构、半导体封装元件及基板结构的制造方法。基板结构包括一导电结构，导电结构包括一第一金属层、一第二金属层以及一第三金属层。第二金属层设置于第一金属层上，第三金属层设置于第二金属层上。第二金属层和第三金属层分别具有相对的一第一表面与一第二表面，第三金属层的第一表面连接于第二金属层的第二表面，且第三金属层的第一表面的面积大于第二金属层的第二表面的面积。
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