公开(公告)号：CN103066051A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210401532.7

申请日：2012-10-19

申请人： 先进封装技术私人有限公司

发明人： 林少雄 ,  周辉星

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/0332 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/768 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开一种封装基板、封装基板制作工艺、半导体元件的封装结构及制作工艺。封装基板包括一介电层、一第一导电层、一第二导电层以及一接合垫。介电层具有一上表面以及一下表面。第一导电层内埋于介电层中，并显露一第一表面于上表面。第一表面切齐上表面。第二导电层内埋于介电层中与第一导电层接触，并显露一第二表面于下表面。第二表面切齐于下表面。接合垫部分地或全部地内埋于第一导电层与介电层中，以使接合垫的周围同时被第一导电层与介电层的侧壁限制于凹穴内。

公开(公告)号：CN101958309A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010264703.7

申请日：2010-08-27

申请人： 先进封装技术私人有限公司

发明人： 林少雄 ,  林建福 ,  周辉星

IPC分类号： H01L23/528

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099

摘要： 本发明公开一种半导体芯片互连结构及应用其的半导体封装件。半导体芯片互连结构包括芯片、凸块组及焊球。芯片包括接垫并具有接垫开孔，接垫从接垫开孔露出。凸块组包括第一凸块及第二凸块。第一凸块设于接垫。第二凸块设于第一凸块，第二凸块的外径实质上等于或大于第一凸块的外径。焊球连接于凸块组。

公开(公告)号：CN101165885A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710154596.0

申请日：2007-09-27

申请人： 先进封装技术私人有限公司

发明人： 周辉星 ,  王志坚

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/11 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种半导体元件及其制造方法。半导体元件具有主动表面，该半导体元件包括至少一最大径长小于100微米的连结构件及至少一凸块。连结构件设置于主动表面上。凸块设于连结构件上，而以连结构件电性连结主动表面。凸块包括柱体部及顶部，柱体部设置于连结构件上，顶部设置于柱体部的顶端。柱体部具有平行于主动表面的第一径长及第二径长，第一径长大于1.2倍的第二径长。柱体部在预设温度下，不会熔化。顶部由焊料所构成，在预设温度下，会熔化。

公开(公告)号：CN104254917B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201380021583.X

申请日：2013-03-26

申请人： 先进封装技术私人有限公司

发明人： 林少雄 ,  周辉星

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

摘要： 本发明提供半导体基底(105、105a)，其包括形成在牺牲性载体(110)上的两层或多层堆积的结构层(120、220)。每个堆积的结构层包括导体迹线层(114a)和互连层(118a、218a)，结构层模制在树脂模塑料内。该模塑料的顶表面被研磨，然后，由粘合层(123、124、224)沉积。然后在最外面的导体迹线层(128a、228a)形成在粘合层上且载体(110)或加强环(110b)被移去之后，可以获得多层基底(105、105a)。

公开(公告)号：CN108807190A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810834043.8

申请日：2014-02-21

申请人： 先进封装技术私人有限公司

发明人： 林少雄 ,  周辉星

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/00 ,  H01L23/16 ,  H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/4828 ,  H01L21/4842 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L23/16 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/544 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54486

摘要： 本发明有关于一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括层组件、一个或多个支撑组件及一个或多个锚合组件，支撑组件配置在层组件的第一表面上，锚合组件配置在层组件内且连接至一个或多个支撑组件，以将一个或多个支撑组件耦接至层组件，进而强化层组件。

公开(公告)号：CN103066051B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210401532.7

申请日：2012-10-19

申请人： 先进封装技术私人有限公司

发明人： 林少雄 ,  周辉星

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/0332 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/768 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开一种封装基板、封装基板制作工艺、半导体元件的封装结构及制作工艺。封装基板包括一介电层、一第一导电层、一第二导电层以及一接合垫。介电层具有一上表面以及一下表面。第一导电层内埋于介电层中，并显露一第一表面于上表面。第一表面切齐上表面。第二导电层内埋于介电层中与第一导电层接触，并显露一第二表面于下表面。第二表面切齐于下表面。接合垫部分地或全部地内埋于第一导电层与介电层中，以使接合垫的周围同时被第一导电层与介电层的侧壁限制于凹穴内。

公开(公告)号：CN102208389B

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201110108971.4

申请日：2011-04-28

申请人： 先进封装技术私人有限公司

发明人： 周辉星 ,  林少雄 ,  林建福

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/495 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/49503 ,  H01L21/4821 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48253 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/85411 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开一种半导体封装件、基板及其制造方法。该基板包括电性载板、第一金属层及第二金属层。第一金属层形成于电性载板上，第一金属层包括延伸引脚，延伸引脚具有上表面。第二金属层形成于第一金属层上，第二金属层包括接合垫，接合垫重叠于且接触于延伸引脚的上表面，延伸引脚的上表面的一部分露出。接合垫的一部分突出超过延伸引脚的边缘。

公开(公告)号：CN101527299B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200810083170.5

申请日：2008-03-07

申请人： 先进封装技术私人有限公司

发明人： 周辉星 ,  王志坚

IPC分类号： H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种封装结构。封装结构包括至少一第一半导体元件、至少一第二半导体元件、一半导体连接元件及一基板。第一半导体元件包括数个第一导电凸块。第二半导体元件包括数个第二导电凸块。半导体连接元件包括一连接主板、至少一信号导线及至少一信号导电柱。信号导线设置于连接主板上。信号导线的两端分别电性连接于第一导电凸块的其中之一及第二导电凸块的其中之一。信号导电柱电性连接于信号导线。基板电性连接于信号导电柱。其中，第一半导体元件及第二半导体元件皆为存储器芯片，且第一半导体元件及第二半导体元件的线路结构相同。根据本发明，封装结构的基板可以同时与第一半导体元件及第二半导体元件形成信号沟通路径。

公开(公告)号：CN101924090A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010232699.6

申请日：2007-12-14

申请人： 先进封装技术私人有限公司

发明人： 周辉星 ,  王志坚 ,  拉扎克·B·奇奇克

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L2224/16225

摘要： 本发明提供一种半导体封装元件及其制造方法。该封装元件，设有第一绝缘层，且设有多个孔洞于该第一绝缘层的第一表面上。此外，还设有多个封装导线，嵌设于该绝缘层中，与所述孔洞的另一端连接。多个孔洞可作为焊球连结封装导线的定位，使得半导体晶片的信号，可以藉由该晶片的导体单元，连至所述封装导线，并且经由焊球向外传输信号。而该第一绝缘层的材料以具有弹性模量大于1.0GPa的特性为宜。

公开(公告)号：CN101207103A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710194297.X

申请日：2007-12-14

申请人： 先进封装技术私人有限公司

发明人： 周辉星 ,  王志坚 ,  拉扎克·B·奇奇克

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L2224/16

摘要： 本发明提供一种半导体封装元件及其制造方法，该封装元件设有第一绝缘层，且设有多个孔洞于该第一绝缘层的第一表面上。此外，还设有多个封装导线，嵌设于该绝缘层中，与所述孔洞的另一端连接。多个孔洞可作为焊球连接封装导线的定位，使得半导体晶片的信号可以藉由该晶片的导体单元连至所述封装导线，并且经由焊球向外传输信号。该第一绝缘层的材料，以具有弹性模量大于1.0GPa的特性为宜。