发明授权
- 专利标题: 一种制备钛酸铋钠基无铅压电厚膜的方法
- 专利标题(英): Method for preparing bismuth sodium titanate base leadless piezoelectricity thick film
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申请号: CN200810046659.5申请日: 2008-01-09
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公开(公告)号: CN101215172B公开(公告)日: 2010-06-09
- 发明人: 姜胜林 , 张海波 , 曾亦可 , 钟南海 , 刘耀平
- 申请人: 华中科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构: 华中科技大学专利中心
- 代理商 曹葆青
- 主分类号: C04B35/64
- IPC分类号: C04B35/64 ; C04B35/468 ; C04B35/475 ; C04B35/462
摘要:
本发明公开了一种制备钛酸铋钠基无铅压电厚膜的方法,包括①按固相法制备结构式为(Na0.5Bi0.5)(1-x)BaxTiO30<x<1的陶瓷粉料,加入粘合剂,松油醇,分散剂和增塑剂,碾磨再球磨成浆料并印刷、烘烤和预烧得单层膜;②以三乙醇胺为催化剂,乙酰丙酮为稳定剂配制BNT-BT前驱体溶液,分成两份,一份经过烘烤、碾磨、预烧和球磨后加入到另一份溶胶中,得复合溶胶;③复合溶胶旋涂至预烧后的厚膜上后,改为垂直放置,再次旋转、烘干、预烧、重复填充数次,退火;④重复印刷、放平、烘干、预烧、填充、预烧和结晶步骤,得到所需厚度的厚膜素坯再烧结即可。本发明的优点是工艺简单,成膜致密度高,电性能优异,能应用于压电微马达、微流体泵、超声换能器及微执行器等。
公开/授权文献
- CN101215172A 一种制备钛酸铋钠基无铅压电厚膜的方法 公开/授权日:2008-07-09
IPC分类: