公开(公告)号：CN109369154B

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201811541537.3

申请日：2018-12-17

申请人： 华中科技大学 ,  深圳华中科技大学研究院

发明人： 刘品 ,  姜胜林 ,  张光祖 ,  曾亦可 ,  李明钰

IPC分类号： C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  H01G4/12

摘要： 本发明公开了一种储能效率提高的反铁电储能陶瓷及其制备方法与应用，属于电能储存材料领域。制备方法为将反铁电介质和线性介质进行复合，得到反铁电储能陶瓷为反铁电介质与线性介质的复合物。所述反铁电介质为(Pb0.93Ba0.04La0.02)(Zr0.95‑xSnxTi0.05)O3，其中x的取值范围为0.3≤x≤0.45，所述线性介质为Ca(ZryTi1‑y)O3，其中y的取值范围为0.3≤y≤0.5。本发明通过高储能密度介质与高储能效率介质的复合，获得了储能密度达到4.39J/cm3、储能效率为92.23％的储能材料。

公开(公告)号：CN109369154A

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201811541537.3

申请日：2018-12-17

申请人： 华中科技大学 ,  深圳华中科技大学研究院

发明人： 刘品 ,  姜胜林 ,  张光祖 ,  曾亦可 ,  李明钰

IPC分类号： C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  H01G4/12

摘要： 本发明公开了一种储能效率提高的反铁电储能陶瓷及其制备方法与应用，属于电能储存材料领域。制备方法为将反铁电介质和线性介质进行复合，得到反铁电储能陶瓷为反铁电介质与线性介质的复合物。所述反铁电介质为(Pb0.93Ba0.04La0.02)(Zr0.95-xSnxTi0.05)O3，其中x的取值范围为0.3≤x≤0.45，所述线性介质为Ca(ZryTi1-y)O3，其中y的取值范围为0.3≤y≤0.5。本发明通过高储能密度介质与高储能效率介质的复合，获得了储能密度达到4.39J/cm3、储能效率为92.23％的储能材料。

公开(公告)号：CN105330287A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510736091.X

申请日：2015-11-03

申请人： 华中科技大学

发明人： 张光祖 ,  陈墨 ,  王庆 ,  沈孟 ,  刘品 ,  姜胜林 ,  曾亦可

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/47 ,  C04B35/622

CPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/47 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/61

摘要： 本发明公开了一种电卡材料及其制备方法。电卡材料由覆盖在柔性衬底上的BST陶瓷纳米线阵列构成，所述BST陶瓷纳米线阵列中，Ba和Sr的摩尔比为(1～3):1。本发明首次将BST陶瓷纳米线阵列用作电卡材料，通过将BST陶瓷纳米线阵列转移到柔性衬底上，充分利用铁电陶瓷良好的电卡效应和纳米线阵列特殊微结构具有的柔韧性，制得具有良好柔韧性和理想电卡效应的电卡材料，实现了无机柔性电卡材料的制备。

公开(公告)号：CN101333109B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200810048368.X

申请日：2008-07-11

申请人： 华中科技大学

发明人： 张洋洋 ,  姜胜林 ,  曾亦可 ,  张光祖 ,  谢甜甜 ,  卢琳

IPC分类号： C04B35/49 ,  C04B35/622

摘要： 本发明公开了一种宽温区相变型热释电陶瓷材料的制备方法，包括：①根据化学式Pb[(Mn0.33Nb0.67)0.5(Mn0.33Sb0.67)0.5]0.08(ZrxTi1-x)0.92O3，其中，x表示Zr与Ti之间的摩尔分数比，0.80≤x≤0.98，在x的取值范围内选取二个不同的值，将PbO、ZrO2、TiO2、Nb2O5、Sb2O3粉体和Mn(NO3)2按各自化学式中的化学计量比进行混合，得到二种混合物；②将二种混合物分别在800～900℃保温4～6小时，得到预烧粉体；③将上述预烧粉体作为基料，按质量比1∶2～2∶1进行混合，将粉体成型后，在1250～1300℃保温2～3h进行烧结；④将烧结后的材料进行磨片、清洗、上电极和烧电极；⑤将烧电极后的材料进行极化，然后保压冷却到室温。本发明制备的混合PMN-PMS-PZT热释电陶瓷在较宽的温度范围内具有较高的热释电系数，良好综合热释电性能，符合制作热释电红外探测器的要求。

公开(公告)号：CN101215172B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200810046659.5

申请日：2008-01-09

申请人： 华中科技大学

发明人： 姜胜林 ,  张海波 ,  曾亦可 ,  钟南海 ,  刘耀平

IPC分类号： C04B35/64 ,  C04B35/468 ,  C04B35/475 ,  C04B35/462

摘要： 本发明公开了一种制备钛酸铋钠基无铅压电厚膜的方法，包括①按固相法制备结构式为(Na0.5Bi0.5)(1-x)BaxTiO30＜x＜1的陶瓷粉料，加入粘合剂，松油醇，分散剂和增塑剂，碾磨再球磨成浆料并印刷、烘烤和预烧得单层膜；②以三乙醇胺为催化剂，乙酰丙酮为稳定剂配制BNT-BT前驱体溶液，分成两份，一份经过烘烤、碾磨、预烧和球磨后加入到另一份溶胶中，得复合溶胶；③复合溶胶旋涂至预烧后的厚膜上后，改为垂直放置，再次旋转、烘干、预烧、重复填充数次，退火；④重复印刷、放平、烘干、预烧、填充、预烧和结晶步骤，得到所需厚度的厚膜素坯再烧结即可。本发明的优点是工艺简单，成膜致密度高，电性能优异，能应用于压电微马达、微流体泵、超声换能器及微执行器等。

公开(公告)号：CN100424503C

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200610019080.0

申请日：2006-05-16

申请人： 华中科技大学

发明人： 姜胜林 ,  曾亦可 ,  吕文中 ,  肖腊连 ,  罗旖旎 ,  邓传益

IPC分类号： G01N27/18

摘要： 热释电系数测量装置，属于电流测量设备，基于动态电流法，以提高测量准确度，并且简化操作。加热炉体内一端设有加热器、另一端装有样品夹具和热电阻感温器，温度控制器连接加热器控制加热炉体的内部温度；样品夹具和微电流放大器、皮安电流表、计算机依次电信号连接，样品的温度信号依次通过热电阻感温器、温度测试仪和计算机电信号连接；计算机编程计算获得样品的热释电系数。本发明测试周期短，温度和电流测量精度高，能测量具有热释电性能的单晶、陶瓷、厚膜及薄膜材料样品。测量操作简单，测量准确度较高。

公开(公告)号：CN100366576C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200610124643.2

申请日：2006-09-27

申请人： 华中科技大学

发明人： 姜胜林 ,  郭婷 ,  曾亦可 ,  张海波 ,  谢甜甜

IPC分类号： C04B35/493 ,  C04B35/622

摘要： 本发明公开了一种制备热释电陶瓷的方法，包括：①将MgO和Nb2O5按质量比1∶1混合均匀，保温合成MgNb2O6；②根据化学式Pb1+d[(ZrxTi1-x)1-y(Mg1/3Nb2/3)y]O3+z at%Mn，0.65≤x≤0.95，0.15≤y≤0.3，0≤d≤0.1，1.0≤z≤5.0，将MgNb2O6与PbO、ZrO2、TiO2和Mn(NO3)2溶液混合，Mn(NO3)2溶液的质量浓度为2%；③将混合物预烧后进行粉碎、过筛、预成型和成型，再保温烧结，烧结采用双坩埚密封气氛叠烧，使烧结过程在饱和铅气氛中进行；④将烧结后的材料进行磨片、清洗、被银和烧电极；⑤将材料放在100～120℃硅油中加3～5KV/mm电场极化15～30分钟，然后保压冷却至室温。本发明以Mn(NO3)2溶液的形式进行了有效的锰掺杂，制备出的PMN-PZT热释电陶瓷具有高的热释电系数，低的介电损耗和合适的介电常数，具有良好综合热释电性能，符合制作热释电红外探测器的要求。

公开(公告)号：CN1271644C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200410013448.3

申请日：2004-07-10

申请人： 华中科技大学

发明人： 姜胜林 ,  曾亦可 ,  李秀峰 ,  刘梅冬

IPC分类号： H01B1/08 ,  C04B35/453 ,  C04B35/624

摘要： 本发明公开了一种ZnO陶瓷薄膜的制备方法，包括：采用传统的溶胶-凝胶法制备ZnO溶胶，取上述60～80%的溶胶烘干后，升温至550℃～650℃，使有机物分解，得到ZnO晶体，再碾磨制备成ZnO纳米粉体，其粒径在30nm～70nm；在上述ZnO粉体中加入分散剂，分散剂的质量为ZnO粉体的1～4%，经混合后，加入到剩余的溶胶中；在载体上采用通常的方法制备所需厚度的薄膜，薄膜的退火温度为500℃～850℃。通过该方法可制备从2000nm～5000nm的薄膜，该薄膜无裂纹、致密型好、晶粒分布较均匀。

公开(公告)号：CN1595551A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410013447.9

申请日：2004-07-10

申请人： 华中科技大学

发明人： 姜胜林 ,  曾亦可 ,  李秀峰 ,  刘梅冬

IPC分类号： H01C7/112 ,  H01C7/10 ,  H01C17/00

摘要： 本发明公开了一种ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻的制备方法，包括：在ZnO溶胶中，掺杂铋离子Bi3+、锑离子Sb3+、锰离子Mn2+、铬离子Cr3+和钴离子Co3+，其摩尔比为：Zn2+∶Bi3+∶Sb3+∶Mn2+∶Cr3+∶Co3+＝100∶(0.6～1.4)∶(1.6～3.0)∶(0.2～1.0)∶(0.5～3.0)∶(1.0～3.0)；取上述60～80％的溶胶烘干后，升温至550℃～650℃，使有机物分解，得到ZnO晶体，再碾磨制备成ZnO纳米粉体，其粒径在30nm～70nm；在上述ZnO粉体中加入分散剂，经混合后，加入到剩余的溶胶中；在单晶硅基片上，制备ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻。本发明制备的ZnO低压压敏电阻具有优良电性能，其压敏电压低于4V，非线性系数可达22，漏电流密度小于0.4μA/mm2。

公开(公告)号：CN106468678A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610815513.7

申请日：2016-09-12

申请人： 华中科技大学

发明人： 姜胜林 ,  马佳辉 ,  刘品 ,  张光祖 ,  曾亦可

IPC分类号： G01N27/00

CPC分类号： G01N27/00

摘要： 本发明公开了一种热释电材料性能测量装置，包括外壳和样品腔；其样品腔内包含温度调节模块、样品夹具和温度传感器；样品夹具与外部电压跟随器、信号采集卡、计算机依次连接；温度传感器用于实施时获取样品温度；样品的温度依次通过温度传感器、信号采集卡发送到外部计算机；由外部计算机根据样品温度变化所引起的输出电流或电压的变化情况，获取热释电材料样品的性能曲线，本发明所提供的热释电材料性能测量装置，具有测试周期短、测量精度高的特点，可用于测量具有热释电性能的单晶、陶瓷及薄膜材料样品。