发明授权
- 专利标题： Al-基合金溅射靶及其制备方法
- 专利标题（英）： AI-based alloy sputtering target and process for producing the same
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申请号： CN200710193219.8申请日： 2007-11-20
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公开(公告)号： CN101220458B公开(公告)日： 2010-09-22
- 发明人: 高木胜寿 , 得平雅也 , 钉宫敏洋 , 米田阳一郎 , 后藤裕史
- 申请人： 株式会社神户制钢所 , 株式会社钢臂功科研
- 申请人地址： 日本兵库县
- 专利权人： 株式会社神户制钢所,株式会社钢臂功科研
- 当前专利权人： 株式会社神户制钢所,株式会社钢臂功科研
- 当前专利权人地址： 日本兵库县
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 陈平
- 优先权： 2006-313505 2006.11.20 JP
- 主分类号： C23C14/34
- IPC分类号： C23C14/34 ; C23C14/14 ; C22C21/00 ; C22F1/04
摘要：
本发明涉及一种Al-基合金溅射靶，其包含0.05至10原子％的量的Ni，其中当根据电子反向散射衍射花样法观察Al-基合金溅射靶的溅射表面的法线方向上的结晶取向 、 、 和 时，所述Al-基合金溅射靶满足：(1)P值对溅射表面的总面积的比率为70％以上，其中P值表示 ±15°、 ±15°、 ±15°和 ±15°的面积分数的总和；(2) ±15°的面积分数对P值的比率为30％以上；和(3) ±15°的面积分数对P值的比率为10％以下。
公开/授权文献
- CN101220458A Al－基合金溅射靶及其制备方法 公开/授权日：2008-07-16
IPC分类:
