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发明公开
CN101256366A 光刻胶剥离组合物和使用其剥离光刻胶膜的方法 有权 转让

光刻胶剥离组合物和使用其剥离光刻胶膜的方法
摘要：
本发明涉及一种光刻胶剥离组合物和使用其剥离光刻胶膜的方法。提供一种光刻胶剥离组合物，其包括约80重量％－约98.5重量％的γ－丁内酯、约1重量％－约10重量％的氨基甲酸烷基酯、约0.1重量％－约5重量％的烷基磺酸和约0.1重量％－约5重量％的非离子型表面活性剂。可将该光刻胶剥离组合物再度用于从基板上剥离光刻胶膜而不降低剥离能力和损坏金属图案，使得可以降低光刻工艺的成本。
摘要（英）：

The invention relates to a composition for stripping photoresist and a method of stripping photoresist using the same. The composition for stripping photoresist comprises about 80% to about 98.5% by weight of gamma-butyrolactone, about 1% to about 10% by weight of alkyl carbamate, about 0.1% to about 5% by weight of alkyl sulfonic acid and about 0.1% to about 5% by weight of nonionic surfactant. The composition for stripping photoresist may be used for stripping photoresist from a substrate without lowering the stripping property or damaging the metal pattern, thus reducing the cost of stripping process.

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