公开(公告)号：CN101256366B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200810092008.X

申请日：2008-02-20

申请人： 三星电子株式会社 ,  东进瑟弥侃株式会社

发明人： 洪瑄英 ,  朴弘植 ,  郑钟铉 ,  金俸均 ,  申原硕 ,  李智鲜 ,  李炳珍 ,  金炳郁 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  辛成健 ,  许舜范

IPC分类号： G03F7/42

摘要： 本发明涉及一种光刻胶剥离组合物和使用其剥离光刻胶膜的方法。提供一种光刻胶剥离组合物，其包括约80重量％-约98.5重量％的γ-丁内酯、约1重量％-约10重量％的氨基甲酸烷基酯、约0.1重量％-约5重量％的烷基磺酸和约0.1重量％-约5重量％的非离子型表面活性剂。可将该光刻胶剥离组合物再度用于从基板上剥离光刻胶膜而不降低剥离能力和损坏金属图案，使得可以降低光刻工艺的成本。

公开(公告)号：CN101256366A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810092008.X

申请日：2008-02-20

申请人： 三星电子株式会社 ,  东进瑟弥侃株式会社

发明人： 洪瑄英 ,  朴弘植 ,  郑钟铉 ,  金俸均 ,  申原硕 ,  李智鲜 ,  李炳珍 ,  金炳郁 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  辛成健 ,  许舜范

IPC分类号： G03F7/42

摘要： 本发明涉及一种光刻胶剥离组合物和使用其剥离光刻胶膜的方法。提供一种光刻胶剥离组合物，其包括约80重量％－约98.5重量％的γ－丁内酯、约1重量％－约10重量％的氨基甲酸烷基酯、约0.1重量％－约5重量％的烷基磺酸和约0.1重量％－约5重量％的非离子型表面活性剂。可将该光刻胶剥离组合物再度用于从基板上剥离光刻胶膜而不降低剥离能力和损坏金属图案，使得可以降低光刻工艺的成本。

公开(公告)号：CN1884618A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200610086467.8

申请日：2006-06-21

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴弘植 ,  金时烈 ,  郑钟铉 ,  申原硕

IPC分类号： C23F1/16 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

摘要： 本发明披露了一种蚀刻剂、使用该蚀刻剂制造多层互连线的方法、以及使用该蚀刻剂制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法。用于由钼/铜/氮化钼组成的多层线的蚀刻剂包括：10－20wt％的过氧化氢、1－5wt％的有机酸、0.1－1wt％的基于三唑的化合物、0.01－0.5wt％的氟化合物、以及作为剩余物的去离子水。

公开(公告)号：CN1869797A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610078433.4

申请日：2006-05-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 申原硕 ,  裵良浩 ,  朴弘植

IPC分类号： G02F1/136 ,  H01L27/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：在基板上形成第一信号线；在第一信号线上顺序地形成栅极绝缘层和半导体层；在栅极绝缘层和半导体层上形成第二信号线；以及形成连接至第二信号线的像素电极。第一信号线和第二信号线中的至少一条包括第一导电氧化物层、含银(Ag)导电层、以及以比第一导电氧化物层低的温度形成的第二导电氧化物层。

公开(公告)号：CN100533710C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200510099624.4

申请日：2005-08-30

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴弘植 ,  金时烈 ,  郑钟铉 ,  申原硕

IPC分类号： H01L21/84 ,  G03F7/42 ,  G02F1/136 ,  H05B33/10

摘要： 一种制造薄膜晶体管基板的方法，包括形成晶体管薄层图案，形成保护层，形成光致抗蚀剂膜，形成彼此间隔开的像素电极和导电层，剥除光致抗蚀剂图案以使用剥除溶液除去导电层并溶解导电层。这种制造薄膜晶体管基板的方法能够提高薄膜晶体管基板的制造工艺的效率。此外，剥除溶液可以重复使用。

公开(公告)号：CN101188242A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710192825.8

申请日：2007-11-20

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑钟铉 ,  李炳珍 ,  朴弘植 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  申原硕

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC分类号： H01L27/1288 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1214

摘要： 本发明提供一种具有降低的制造成本和缺陷率的薄膜晶体管基板。所述薄膜晶体管基板包括：栅极布线，形成于绝缘基板上且包括栅电极；数据布线，形成于所述栅极布线上且包括源电极和漏电极；钝化层图案，形成于除了所述漏电极和像素区之外的部分所述数据布线上；以及电连接到所述漏电极的像素电极。所述像素电极包括氧化锌。

公开(公告)号：CN101169599A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200710170189.9

申请日：2007-10-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 洪瑄英 ,  朴弘植 ,  郑钟铉 ,  金俸均 ,  申原硕 ,  李炳珍 ,  任太彬

IPC分类号： G03F7/42

CPC分类号： H01L21/6708 ,  G03F7/423

摘要： 本发明涉及利用处理液除去基板的光刻胶并用臭氧处理处理液。当处理液被喷射到基板上时，倾斜基板以从基板上除去光刻胶。因此使用处理液均匀地处理基板以及收集处理液变得很方便。收集的处理液通过臭氧进行处理然后再使用。

公开(公告)号：CN1744300A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200510099624.4

申请日：2005-08-30

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴弘植 ,  金时烈 ,  郑钟铉 ,  申原硕

IPC分类号： H01L21/84 ,  G03F7/42 ,  G02F1/136 ,  H05B33/10

摘要： 一种制造薄膜晶体管基板的方法，包括形成晶体管薄层图案，形成保护层，形成光致抗蚀剂膜，形成彼此间隔开的像素电极和导电层，剥除光致抗蚀剂图案以使用剥除溶液除去导电层并溶解导电层。这种制造薄膜晶体管基板的方法能够提高薄膜晶体管基板的制造工艺的效率。此外，剥除溶液可以重复使用。

公开(公告)号：CN1869797B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200610078433.4

申请日：2006-05-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 申原硕 ,  裵良浩 ,  朴弘植

IPC分类号： G02F1/136 ,  H01L27/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：在基板上形成第一信号线；在第一信号线上顺序地形成栅极绝缘层和半导体层；在栅极绝缘层和半导体层上形成第二信号线；以及形成连接至第二信号线的像素电极。第一信号线和第二信号线中的只少一条包括第一导电氧化物层、含银(Ag)导电层、以及以比第一导电氧化物层低的温度形成的第二导电氧化物层。

公开(公告)号：CN101051190A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200710089842.9

申请日：2007-04-05

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴弘植 ,  郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  申原硕 ,  李炳珍

IPC分类号： G03F7/42

CPC分类号： G03F7/422

摘要： 本发明提供一种光致抗蚀剂PR剥离装置，其可以再循环光致抗蚀剂剥离剂且在过滤器操作期间实现连续的过滤动作。该PR剥离装置包括：PR剥离槽，用于接收具有PR图案的基板且用于该PR图案的剥离；PR剥离剂回收管，用于接收来自PR剥离槽的PR剥离剂；两个或更多过滤器单元，用于过滤通过PR剥离剂回收管返回的PR剥离剂；以及PR剥离剂供给管，用于向PR剥离槽供给过滤的PR剥离剂。所述两个或更多过滤器单元彼此并联连接在PR剥离剂回收管和PR剥离剂供给管之间。