本发明提供一种半导体结构及半导体结构的形成方法。该方法包括如下步骤：形成一介电层于一基底之上；形成一第一非导电阻障层于该介电层上；形成至少一开口，其穿过该第一非导电阻障层而位于该介电层内部；形成一第二非导电阻障层于该第一非导电阻障层之上和该开口内；以及移除至少一部分该第二非导电阻障层，借此至少部分地暴露出该第一非导电阻障层的上表面和该开口的下表面，其中该第一非导电阻障层与该第二非导电阻障层的材料相同并且顶表面等高。通过本发明，不需外加化学机械研磨步骤或电解抛光步骤来移除形成于介电层的上表面和导电层之间的导电阻障层，使得避免或减少在执行化学机械研磨步骤以移除导电阻障层时所导致的介电层损伤。