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公开(公告)号：CN109427590B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201810907957.2
申请日：2018-08-10
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423
摘要： 本公开实施例提供鳍式场效晶体管装置及其形成方法，此方法包含形成栅极介电层以及沉积金属氧化物层于栅极介电层上。此方法也包含将栅极介电层和金属氧化物层退火，使得离子从金属氧化物层扩散至栅极介电层，以形成掺杂的栅极介电层。此方法还包含形成功函数层于掺杂的栅极介电层上，以及形成栅极电极于功函数层上。
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公开(公告)号：CN110957362B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201910451973.X
申请日：2019-05-28
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 提供了FinFET器件及其形成方法。该方法包括：在衬底上形成半导体条。在衬底上和相邻的半导体条之间形成隔离区。对隔离区执行第一凹进工艺以暴露半导体条的第一部分。再成形半导体条的第一部分以形成半导体条的再成形的第一部分。对隔离区执行第二凹进工艺，以暴露位于半导体条的再成形的第一部分下方的半导体条的第二部分。再成形半导体条的第二部分以形成半导体条的再成形的第二部分。半导体条的再成形的第一部分和半导体条的再成形的第二部分形成鳍。鳍远离隔离区的最顶部表面延伸。
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公开(公告)号：CN111129143B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201910187672.0
申请日：2019-03-13
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
摘要： 半导体器件包括：衬底；鳍，突出于衬底上方，鳍包括化合物半导体材料，该化合物半导体材料包括半导体材料和第一掺杂剂，第一掺杂剂具有与半导体材料不同的晶格常数，其中鳍中第一掺杂剂的浓度沿着从鳍的上表面朝向衬底的第一方向变化；栅极结构，位于鳍上方；沟道区，位于鳍中并且位于栅极结构的正下方；以及源极/漏极区，位于栅极结构的相对侧上，源极/漏极区包括第二掺杂剂，其中沟道区内的第一位置处的第二掺杂剂的浓度高于沟道区内的第二位置处的第二掺杂剂的浓度，其中第一位置处的第一掺杂剂的浓度低于第二位置处的第一掺杂剂的浓度。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN114530484A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202110346601.8
申请日：2021-03-31
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/161 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 本揭露描述了一种半导体装置及其制作方法，半导体装置包括基板、该基板上的缓冲层及缓冲层上的堆叠的鳍式结构。缓冲层可以包括锗，且堆叠的鳍式结构可以包括具有锗及锡的半导体层。半导体装置进一步包括围绕半导体层的一部分的栅极结构及在缓冲层上并与半导体层接触的磊晶结构。磊晶结构包括锗及锡。
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公开(公告)号：CN109786251A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811058207.9
申请日：2018-09-11
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/08
摘要： 提供半导体结构及其形成方法。上述方法包括形成栅极结构于基板上以及形成凹陷于基板中并相邻于上述栅极结构。上述方法还包括于上述凹陷的侧壁与底表面形成掺杂区以及部分地移除上述掺杂区以改变上述凹陷的形状。上述方法还包括形成源极/漏极结构于上述掺杂区的残留部分之上。
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公开(公告)号：CN109585291A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201711092274.8
申请日：2017-11-08
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336
摘要： 本公开实施例描述形成p型完全应变沟道或n型完全应变沟道的例示性方法，其可减少因工艺造成沟道区中的外延成长缺陷或结构变形。例示性方法可包含(i)搭配三氟化氮与氨的等离子体的两个或多个表面预清洁处理循环，之后进行热处理；(ii)预烘烤；以及(iii)搭配硅籽晶层、硅锗籽晶层、或上述的组合外延成长硅锗。
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公开(公告)号：CN107978637A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201710202281.2
申请日：2017-03-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L21/823821 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02532 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/823807 , H01L27/0924 , H01L29/7849 , H01L29/7851 , H01L29/785 , H01L29/04
摘要： 本申请公开一种半导体结构，其中半导体结构包含阶状的结晶基板，其具有较高阶状物、较低阶状物、与阶状隆起。第一鳍状物包含具有第一晶格常数的结晶结构。第一鳍状物形成于较低阶状物上。第二鳍状物包含具有第二晶格常数的结晶结构，且第二晶格常数不同于第一晶格常数。第二鳍状物可形成于较高阶状物上，并与第一鳍状物分隔。第二结晶结构可形成于结晶结构上，且鳍状物的顶部对齐。第一鳍状物与第二鳍状物之组成可为相同材料(具有不同高度及不同通道应力值)。第一鳍状物可作为互补式金氧半鳍状场效晶体管的n型金氧半鳍状物，而第二鳍状物可作为互补式金氧半鳍状场效晶体管的p型金氧半鳍状物。
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公开(公告)号：CN105845731A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201510390629.6
申请日：2015-07-06
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/04
CPC分类号： H01L29/7851 , H01L29/0649 , H01L29/0673 , H01L29/165 , H01L29/36 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L2029/7858 , H01L29/04
摘要： 本发明的一些实施例提供了半导体器件结构及其制造方法。该半导体器件包括半导体衬底；位于半导体衬底的鳍结构上方的栅极结构；位于栅极结构下方的鳍结构的沟道部分；以及设置在半导体衬底上方并且与沟道部分接触的至少一个外延区。外延区包括具有大于半导体衬底的第二晶格常数的第一晶格常数的物质；并且外延区中的物质的浓度分布从底部附近至顶部附近降低。底部比顶部更接近沟道部分。
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公开(公告)号：CN102732157B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201210003774.0
申请日：2012-01-04
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/321
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463
摘要： 一种金属抛光液包括化学溶液和磨料，该磨料的特征为颗粒尺寸的双峰式分布或者其他多峰式分布或者普遍存在两种或者更多种颗粒尺寸或者颗粒尺寸的范围。还提供了一种用于在CMP抛光操作中使用抛光液的方法和系统。
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公开(公告)号：CN101064296A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200610111749.9
申请日：2006-08-25
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/485 , H01L21/76844 , H01L21/76865 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一基底；一介电层，形成于该基底上；一开口，形成于该介电层中；一第一阻障层，覆盖于该开口的侧壁；一第二阻障层，覆盖于该第一阻障层上与该开口的底部；以及一导电层，填入该开口。本发明所述的半导体装置及其制造方法，提供一包含多重沉积与再溅镀步骤的制程以及极佳的再溅镀/沉积比例，使获得的金属阻障层的厚度极薄，而能有效降低内连线结构的阻值，例如能有效降低接触区与镶嵌导线间的阻值。此外，于沟槽角落的阻障层厚度亦可被控制，以避免再溅镀后产生的微沟槽现象，增加了元件的可靠性。
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