Invention Grant
- Patent Title: 晶体生长的系统和方法
- Patent Title (English): System and method for crystal growing
-
Application No.: CN200680039620.XApplication Date: 2006-08-25
-
Publication No.: CN101305116BPublication Date: 2013-05-22
- Inventor: F·施米德 , C·P·哈塔克 , D·B·乔伊斯
- Applicant: 晶体系统公司
- Applicant Address: 美国马萨诸塞
- Assignee: 晶体系统公司
- Current Assignee: GTAT公司
- Current Assignee Address: 美国马萨诸塞
- Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- Agent 柴毅敏
- Priority: 11/212,027 2005.08.25 US
- International Application: PCT/US2006/033203 2006.08.25
- International Announcement: WO2007/025118 EN 2007.03.01
- Date entered country: 2008-04-24
- Main IPC: C30B35/00
- IPC: C30B35/00 ; C30B17/00
Abstract:
为了减少向坩埚底部的热量输入和独立于热量输入来控制热量吸取，当晶体生长时可以在加热元件和坩埚之间以受控制的速度升高护罩。其它的步骤可以包括移动坩埚，但是该过程可以避免必须移动坩埚。温度梯度通过仅仅屏蔽加热元件的一部分而产生；例如，圆柱形的元件底部可以被屏蔽以使传递到坩埚底部的热量比到顶部的少，从而导致坩埚内的稳定的温度梯度。
Public/Granted literature
- CN101305116A 晶体生长的系统和方法 Public/Granted day:2008-11-12
Information query
IPC分类:
