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1.

发明公开
晶体生长的系统和方法有权转让复审申请

公开(公告)号：CN101305116A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200680039620.X

申请日：2006-08-25

申请人： 晶体系统公司

发明人： F·施米德 , C·P·哈塔克 , D·B·乔伊斯

IPC分类号： C30B35/00 , C30B17/00

CPC分类号： C30B11/007 , C30B29/06 , C30B29/20 , C30B29/42 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1016 , Y10T117/1024 , Y10T117/1028 , Y10T117/1072 , Y10T117/1092

摘要： 为了减少向坩埚底部的热量输入和独立于热量输入来控制热量吸取，当晶体生长时可以在加热元件和坩埚之间以受控制的速度升高护罩。其它的步骤可以包括移动坩埚，但是该过程可以避免必须移动坩埚。温度梯度通过仅仅屏蔽加热元件的一部分而产生；例如，圆柱形的元件底部可以被屏蔽以使传递到坩埚底部的热量比到顶部的少，从而导致坩埚内的稳定的温度梯度。

2.

发明授权
晶体生长的系统和方法有权转让复审申请

公开(公告)号：CN101305116B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN200680039620.X

申请日：2006-08-25

申请人： 晶体系统公司

发明人： F·施米德 , C·P·哈塔克 , D·B·乔伊斯

IPC分类号： C30B35/00 , C30B17/00

CPC分类号： C30B11/007 , C30B29/06 , C30B29/20 , C30B29/42 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1016 , Y10T117/1024 , Y10T117/1028 , Y10T117/1072 , Y10T117/1092

摘要： 为了减少向坩埚底部的热量输入和独立于热量输入来控制热量吸取，当晶体生长时可以在加热元件和坩埚之间以受控制的速度升高护罩。其它的步骤可以包括移动坩埚，但是该过程可以避免必须移动坩埚。温度梯度通过仅仅屏蔽加热元件的一部分而产生；例如，圆柱形的元件底部可以被屏蔽以使传递到坩埚底部的热量比到顶部的少，从而导致坩埚内的稳定的温度梯度。