- 专利标题: 半导体装置、存储器读取方法和存储器编程方法
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申请号: CN200810110170.X申请日: 2008-06-13
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公开(公告)号: CN101329914B公开(公告)日: 2014-10-08
- 发明人: 朴珠姬 , 玄在雄 , 赵庆来 , 朴允童 , 李承勋 , 权奇元
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道水原市灵通区梅滩3洞416
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道水原市灵通区梅滩3洞416
- 代理机构: 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理商 郭鸿禧; 罗延红
- 优先权: 10-2007-0061874 2007.06.22 KR
- 主分类号: G11C16/06
- IPC分类号: G11C16/06
摘要:
本发明提供了一种具有可存储指示被写到多个存储单元的数据位的数目的信息的块状态确认单元的半导体装置、一种基于被写入的数据位的数目读取存储器数据的方法和/或一种存储指示被写入的数据位的数目的信息的存储器编程方法。该半导体装置可包括控制器和一个或多个存储块。每个存储块可包括块状态确认单元和多个存储单元,块状态确认单元存储指示被写到存储单元的数据位的数目的信息,每个存储单元存储数据。控制器可基于块状态确认单元中的信息中指示的数据位的数目来从存储块读取该数据位。
公开/授权文献
- CN101329914A 半导体装置、存储器读取方法和存储器编程方法 公开/授权日:2008-12-24