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公开(公告)号：CN101165919A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710152423.5
申请日：2007-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L27/115 , G11C16/10 , G11C16/14
CPC classification number: H01L29/66825 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/42324 , H01L29/42332 , H01L29/4234 , H01L29/7881 , H01L29/792 , H01L29/7926
Abstract: 本发明提供了一种半导体存储器装置的操作方法，其中，该半导体存储器装置可以包括半导体基底、凹进到半导体基底中的控制栅极、位于控制栅极与半导体基底之间的存储节点层、位于存储节点层与半导体基底之间的隧穿绝缘层、位于存储节点层与控制栅极之间的阻挡绝缘层、环绕控制栅极并被成对的相对的分离绝缘层分隔开的第一沟道区和第二沟道区。该操作方法可以包括通过穿过阻挡绝缘层的电荷隧穿在存储节点层中编入数据，从而实现相对高的可靠性和效率。
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公开(公告)号：CN101414484A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810213020.1
申请日：2008-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/24 , G11C16/26
Abstract: 提供一种非易失性存储装置。所述非易失性存储装置可包括至少一串、与所述至少一串相应至少一条位线和/或感测晶体管。所述至少一串可包括串联的多个存储单元晶体管。感测晶体管可包括被配置为感测相应位线的电压的栅极。感测晶体管的阈值电压可高于通过从被施加以读取所述相应位线的电压减去给定电压所获得的电压，其中，所述相应位线被连接到所述多个存储单元晶体管中将被读取的存储单元晶体管。
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公开(公告)号：CN101165901A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710161637.9
申请日：2007-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/78 , H01L29/51 , H01L29/423 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/42324 , G11C16/0408 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/42336 , H01L29/4234 , H01L29/42352 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7881 , H01L29/792
Abstract: 本发明提供了一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置可包括半导体基底、至少一个控制栅电极，至少一层存储节点层、至少一层隧穿绝缘层、至少一层阻挡绝缘层和/或第一沟道区和第二沟道区。至少一个控制栅电极可凹进到半导体基底中。至少一层存储节点层可在至少一个控制栅电极的侧壁和半导体基底之间。至少一层隧穿绝缘层可在至少一层存储节点层和半导体基底之间。至少一层阻挡绝缘层可在存储节点层和控制栅电极之间。第一沟道区和第二沟道区可在至少一层隧穿绝缘层和半导体基底之间，以环绕控制栅电极的侧壁的至少一部分，和/或第一沟道区和第二沟道区可相互分离。
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公开(公告)号：CN101409107B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200810148926.X
申请日：2008-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C2211/5621 , G11C2211/5648
Abstract: 本发明提供了一种对非易失性存储单元编程的方法，所述方法包括：通过将非易失性存储单元的阈值电压设置为第一电压电平来对多位数据的第一位编程，所述第一电压电平在多个阈值电压分布中的第一阈值电压分布内。通过基于第二位的值将阈值电压设置为第二电压电平来对多位数据的第二位编程。如果第二位是第一值，则第二电压电平与第一电压电平相同，如果第二位是第二值，则第二电压电平在所述多个阈值电压分布中的第二阈值电压分布内。通过基于第三位的值将阈值电压设置为第三电压电平来对多位数据的第三位编程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101409107A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810148926.X
申请日：2008-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C2211/5621 , G11C2211/5648
Abstract: 提供了一种对非易失性存储单元编程的方法，所述方法包括：通过将非易失性存储单元的阈值电压设置为第一电压电平来对多位数据的第一位编程，所述第一电压电平在多个阈值电压分布中的第一阈值电压分布内。通过基于第二位的值将阈值电压设置为第二电压电平来对多位数据的第二位编程。如果第二位是第一值，则第二电压电平与第一电压电平相同，如果第二位是第二值，则第二电压电平在所述多个阈值电压分布中的第二阈值电压分布内。通过基于第三位的值将阈值电压设置为第三电压电平来对多位数据的第三位编程。
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公开(公告)号：CN101329914B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN200810110170.X
申请日：2008-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/06
CPC classification number: G11C11/5642 , G11C2211/5641 , G11C2211/5646
Abstract: 本发明提供了一种具有可存储指示被写到多个存储单元的数据位的数目的信息的块状态确认单元的半导体装置、一种基于被写入的数据位的数目读取存储器数据的方法和/或一种存储指示被写入的数据位的数目的信息的存储器编程方法。该半导体装置可包括控制器和一个或多个存储块。每个存储块可包括块状态确认单元和多个存储单元，块状态确认单元存储指示被写到存储单元的数据位的数目的信息，每个存储单元存储数据。控制器可基于块状态确认单元中的信息中指示的数据位的数目来从存储块读取该数据位。
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公开(公告)号：CN101414484B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200810213020.1
申请日：2008-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/24 , G11C16/26
Abstract: 提供一种非易失性存储装置。所述非易失性存储装置可包括至少一串、与所述至少一串相应至少一条位线和/或感测晶体管。所述至少一串可包括串联的多个存储单元晶体管。感测晶体管可包括被配置为感测相应位线的电压的栅极。感测晶体管的阈值电压可高于通过从被施加以读取所述相应位线的电压减去给定电压所获得的电压，其中，所述相应位线被连接到所述多个存储单元晶体管中将被读取的存储单元晶体管。
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公开(公告)号：CN102004636A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010269327.0
申请日：2010-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F9/44
CPC classification number: G06F3/04817 , G06F9/45512
Abstract: 公开了一种管理便携式终端中的微件的方法和系统。如果提出在已经具有预设数量的微件的微件托盘中注册微件的请求，则从微件托盘移除最低优先级微件。将关于移除的微件的信息存储在保留堆栈中。如果从微件托盘移除了至少一个微件，则在微件托盘中自动注册存储在保留堆栈中的微件。因此，可保持微件托盘中的微件的预定数量。
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公开(公告)号：CN101329914A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810110170.X
申请日：2008-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/06
CPC classification number: G11C11/5642 , G11C2211/5641 , G11C2211/5646
Abstract: 本发明提供了一种具有可存储指示被写到多个存储单元的数据位的数目的信息的块状态确认单元的半导体装置、一种基于被写入的数据位的数目读取存储器数据的方法和/或一种存储指示被写入的数据位的数目的信息的存储器编程方法。该半导体装置可包括控制器和一个或多个存储块。每个存储块可包括块状态确认单元和多个存储单元，块状态确认单元存储指示被写到存储单元的数据位的数目的信息，每个存储单元存储数据。控制器可基于块状态确认单元中的信息中指示的数据位的数目来从存储块读取该数据位。
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