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发明授权
CN101345287B 一种调节多晶Fe3O4薄膜材料电阻率的方法 失效 - 权利终止

  • 专利标题： 一种调节多晶Fe3O4薄膜材料电阻率的方法
  • 专利标题（英）： Method for regulating resistivity of polycrystal Fe3O4 thin-film material
  • 申请号： CN200810151233.6
    申请日： 2008-09-03
  • 公开(公告)号： CN101345287B
    公开(公告)日： 2010-06-02
  • 发明人: 刘晖 , 程雅慧 , 张晓 , 李鲁艳 , 王维华 , 罗晓光
  • 申请人： 南开大学
  • 申请人地址： 天津市卫津路94号南开大学信息学院
  • 专利权人： 南开大学
  • 当前专利权人： 南开大学
  • 当前专利权人地址： 天津市卫津路94号南开大学信息学院
  • 主分类号： H01L43/12
  • IPC分类号： H01L43/12
一种调节多晶Fe3O4薄膜材料电阻率的方法
摘要：
一种调节多晶Fe3O4薄膜材料电阻率的方法，特别是一种通过退火控制多晶Fe3O4薄膜材料的电阻率升高或降低的方法。该方法解决了自旋注入过程中的电阻率不匹配问题，满足向各种具有不同电阻率的半导体材料中注入自旋的实际需要。该方法的优点是简单易行，容易有效地调节多晶Fe3O4薄膜材料的电阻率，并且所用方法实用性较好，易于工业化。
摘要（英）：

The invention provides a method used for adjusting the resistivity of multi-crystal Fe3O4 film material, in particular to a method which controls the increment of the resistivity of the multi-crystalFe3O4 film material by an annealing method. The method of the invention solves the problem that the resistivity is not matched during the self-rotation injection process and meets the practical requirement of the injection self-rotation in various semiconductor materials with different resistivity. The method of the invention has the advantages of simpleness and feasibility, easily effectively adjusting the resistivity of the multi-crystal Fe3O4 film material, good practicability of the method and being easy for industrialization.

公开/授权文献
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