- 专利标题: Al-Ni-La-Si体系Al-基合金溅射靶及其制备方法
- 专利标题(英): Al-Ni-La-Si system Al-based alloy sputtering target and process for producing the same
-
申请号: CN200810134033.X申请日: 2008-07-22
-
公开(公告)号: CN101353779A公开(公告)日: 2009-01-28
- 发明人: 高木胜寿 , 岩崎祐纪 , 得平雅也 , 南部旭 , 越智元隆 , 后藤裕史 , 川上信之
- 申请人: 株式会社神户制钢所 , 株式会社钢臂功科研
- 申请人地址: 日本国兵库县
- 专利权人: 株式会社神户制钢所,株式会社钢臂功科研
- 当前专利权人: 株式会社神户制钢所,株式会社钢臂功科研
- 当前专利权人地址: 日本国兵库县
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 陈平
- 优先权: 2007-192214 2007.07.24 JP
- 主分类号: C23C14/34
- IPC分类号: C23C14/34 ; C23C14/14
摘要:
本发明涉及一种含有Ni、La和Si的Al-Ni-La-Si体系Al-基合金溅射靶,其中当使用扫描电子显微镜以2000倍的放大倍数观察在垂直于所述溅射靶的平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t(t:厚度)的截面时,(1)按面积分数计,平均粒径为0.3μm至3μm的Al-Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni体系金属间化合物的总面积为70%以上,所述Al-Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成;并且(2)按面积分数计,平均粒径为0.2μm至2μm的Al-Ni-La-Si体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni-La-Si体系金属间化合物的总面积为70%以上,所述Al-Ni-La-Si体系金属间化合物主要由Al、Ni、La和Si组成。
公开/授权文献
- CN101353779B Al-Ni-La-Si体系Al-基合金溅射靶及其制备方法 公开/授权日:2010-12-29
IPC分类: