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公开(公告)号：CN101353779B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200810134033.X
申请日：2008-07-22
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F2998/10 , C22C1/0491 , C22C21/00 , C22F1/04 , B22F9/082 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18
摘要： 本发明涉及一种含有Ni、La和Si的Al-Ni-La-Si体系Al-基合金溅射靶，其中当使用扫描电子显微镜以2000倍的放大倍数观察在垂直于所述溅射靶的平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)的截面时，(1)按面积分数计，平均粒径为0.3μm至3μm的Al-Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al-Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成；并且(2)按面积分数计，平均粒径为0.2μm至2μm的Al-Ni-La-Si体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni-La-Si体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al-Ni-La-Si体系金属间化合物主要由Al、Ni、La和Si组成。
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公开(公告)号：CN101353779A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810134033.X
申请日：2008-07-22
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F2998/10 , C22C1/0491 , C22C21/00 , C22F1/04 , B22F9/082 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18
摘要： 本发明涉及一种含有Ni、La和Si的Al－Ni－La－Si体系Al－基合金溅射靶，其中当使用扫描电子显微镜以2000倍的放大倍数观察在垂直于所述溅射靶的平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)的截面时，(1)按面积分数计，平均粒径为0.3μm至3μm的Al－Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al－Ni体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al－Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成；并且(2)按面积分数计，平均粒径为0.2μm至2μm的Al－Ni－La－Si体系金属间化合物的总面积相对于全部Al－Ni－La－Si体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al－Ni－La－Si体系金属间化合物主要由Al、Ni、La和Si组成。
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公开(公告)号：CN102985358A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180031772.6
申请日：2011-06-27
CPC分类号： C23C14/14 , C01B19/002 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/61 , C04B35/547 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B2235/40 , C04B2235/407 , C04B2235/446 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C22C1/0491 , C22C9/00 , C22C28/00 , C22C30/00 , C22C30/02 , C23C14/0623 , C23C14/3414
摘要： 本发明提供一种在烧结时或加工时不会发生破损的、含有Cu、In、Ga及Se的Cu-In-Ga-Se系粉末、以及使用该粉末的烧结体及溅射靶。本发明涉及含有Cu、In、Ga及Se元素的粉末，其中，Cu-In-Ga-Se系化合物和/或Cu-In-Se系化合物共计含有60质量％以上。本发明的粉末优选含有20质量％以下的In-Se系化合物和/或20质量％以下的Cu-In系化合物。
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公开(公告)号：CN104619673B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201380047313.6
申请日：2013-09-10
申请人： 株式会社钢臂功科研
IPC分类号： H01L21/363 , C04B35/453 , C04B35/00 , C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3429 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01J2237/3322 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要： 一种将氧化锌、氧化铟、氧化镓和氧化锡混合并烧结而得到的氧化物烧结体。所述氧化物烧结体的相对密度为85％以上，对所述氧化物烧结体进行X射线衍射时，Zn2SnO4相和InGaZnO4相以规定的比例包含。
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公开(公告)号：CN104619673A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201380047313.6
申请日：2013-09-10
申请人： 株式会社钢臂功科研
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/00 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC分类号： H01J37/3429 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01J2237/3322 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要： 一种将氧化锌、氧化铟、氧化镓和氧化锡混合并烧结而得到的氧化物烧结体。所述氧化物烧结体的相对密度为85％以上，对所述氧化物烧结体进行X射线衍射时，Zn2SnO4相和InGaZnO4相以规定的比例包含。
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公开(公告)号：CN103298767B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280005106.X
申请日：2012-02-09
申请人： 株式会社钢臂功科研
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/34 , C04B35/453 , C04B35/457
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C23C14/086
摘要： 提供一种氧化物烧结体，其适合用于显示装置用氧化物半导体膜的制造，并兼备高的导电性和相对密度，具有高的载流子迁移率，且能够成膜具有非常优越的面内均匀性的氧化物半导体膜。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡、氧化铟的各粉末混合以及烧结而得到的氧化物烧结体，对所述氧化物烧结体进行X线衍射，设2θ＝34°附近的XRD峰值的强度由A表示，设2θ＝31°附近的XRD峰值的强度由B表示，设2θ＝35°附近的XRD峰值的强度由C表示，设2θ＝26.5°附近的XRD峰值的强度由D表示时，满足下述式(1)[A/(A+B+C+D)]×100≥70···(1)。
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公开(公告)号：CN102985358B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201180031772.6
申请日：2011-06-27
CPC分类号： C23C14/14 , C01B19/002 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/61 , C04B35/547 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B2235/40 , C04B2235/407 , C04B2235/446 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C22C1/0491 , C22C9/00 , C22C28/00 , C22C30/00 , C22C30/02 , C23C14/0623 , C23C14/3414
摘要： 本发明提供一种在烧结时或加工时不会发生破损的、含有Cu、In、Ga及Se的Cu-In-Ga-Se系粉末、以及使用该粉末的烧结体及溅射靶。本发明涉及含有Cu、In、Ga及Se元素的粉末，其中，Cu-In-Ga-Se系化合物和/或Cu-In-Se系化合物共计含有60质量％以上。本发明的粉末优选含有20质量％以下的In-Se系化合物和/或20质量％以下的Cu-In系化合物。
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公开(公告)号：CN104619674A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201380047358.3
申请日：2013-09-10
申请人： 株式会社钢臂功科研
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/00 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC分类号： H01J37/3429 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/64 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/6562 , C04B2235/658 , C04B2235/66 , C04B2235/763 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J37/3491 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要： 一种将氧化锌、氧化铟、氧化镓和氧化锡混合并烧结而得到的氧化物烧结体。所述氧化物烧结体的相对密度为85％以上，在所述氧化物烧结体的表面观察到的晶粒的平均晶粒直径小于10μm。对所述氧化物烧结体进行X射线衍射时，Zn2SnO4相和InGaZnO4相为主相，InGaZn2O5相为3体积％以下。
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公开(公告)号：CN104619674B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201380047358.3
申请日：2013-09-10
申请人： 株式会社钢臂功科研
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/00 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC分类号： H01J37/3429 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/64 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/6562 , C04B2235/658 , C04B2235/66 , C04B2235/763 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J37/3491 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要： 一种将氧化锌、氧化铟、氧化镓和氧化锡混合并烧结而得到的氧化物烧结体。所述氧化物烧结体的相对密度为85％以上，在所述氧化物烧结体的表面观察到的晶粒的平均晶粒直径小于10μm。对所述氧化物烧结体进行X射线衍射时，Zn2SnO4相和InGaZnO4相为主相，InGaZn2O5相为3体积％以下。
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公开(公告)号：CN102362002B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201080011383.2
申请日：2010-04-14
申请人： 株式会社钢臂功科研
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F2998/10 , C22C1/0425 , C22C9/00 , B22F9/082 , C23C14/34 , B22F3/15
摘要： 本发明提供一种Cu-Ga合金溅射靶，可形成膜的成分组成的均匀性(膜均匀性)优异的Cu-Ga溅射膜且可降低溅射中的穿孔产生，同时，强度高且可抑制溅射中的裂纹。本发明是一种包含含有Ga的Cu基合金的溅射靶，其平均结晶粒径为10μm以下，且孔隙率为0.1％以下。
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