发明授权
CN101375649B 导电性电路形成方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 导电性电路形成方法
- 专利标题(英): Method for electroconductive circuit formation
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申请号: CN200780003590.1申请日: 2007-01-23
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公开(公告)号: CN101375649B公开(公告)日: 2011-03-16
- 发明人: 汤本哲男
- 申请人: 三共化成株式会社
- 申请人地址: 日本国东京都
- 专利权人: 三共化成株式会社
- 当前专利权人: 三共化成株式会社
- 当前专利权人地址: 日本国东京都
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 李贵亮
- 优先权: 018434/2006 2006.01.27 JP
- 国际申请: PCT/JP2007/050954 2007.01.23
- 国际公布: WO2007/086359 JA 2007.08.02
- 进入国家日期: 2008-07-25
- 主分类号: H05K3/18
- IPC分类号: H05K3/18 ; H05K3/00
摘要:
简单并低成本地形成掩蔽材料及基体两者均对高频信号的介质衰耗因数低,且两者的密合性优良的导电性电路。将混合有软质聚合物的环烯系树脂注射成形,形成一级基体(1),在它的表面上将具有相容性、未混合有软质聚合物的环烯系树脂注射成形,形成掩蔽层(2)。因为环烯系树脂本身具有耐蚀刻性,因此,可仅对未被掩蔽层2覆盖的一级基体(1)的表面、即应该形成导电性电路的部分(1a),使软质聚合物溶解,进行粗化并同时使之具有亲水性。因此,仅在未被掩蔽层(2)覆盖的部分(1a)上有选择地形成由非电解镀而成的导电层(4)。
公开/授权文献
- CN101375649A 导电性电路形成方法 公开/授权日:2009-02-25