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公开(公告)号:CN1977572A
公开(公告)日:2007-06-06
申请号:CN200580005223.6
申请日:2005-02-17
Applicant: 三共化成株式会社
Inventor: 汤本哲男
CPC classification number: G01R31/28 , H05K1/0284 , H05K1/115 , H05K3/42 , H05K2201/09045 , H05K2201/09118 , H05K2201/09236 , H05K2201/0959 , H05K2201/09827 , H05K2201/09854 , Y10T29/49155 , Y10T29/49158 , Y10T29/4916 , Y10T29/49165 , Y10T29/49176
Abstract: 可以防止金属铸模的成型用插针破损,使电镀的析出变得可靠,由此将电路间距缩小到临界值。在电路基板2的正面上形成由导电材料构成的规定电路图案3、3…,并且还在反面形成规定的电路图案。在该电路基板2内,形成使两面的电路图案电导通的通孔5,通孔的内面形状按邻接的电路图案3、3间方向窄,按电路延伸方向长。
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公开(公告)号:CN101375649A
公开(公告)日:2009-02-25
申请号:CN200780003590.1
申请日:2007-01-23
Applicant: 三共化成株式会社
Inventor: 汤本哲男
CPC classification number: H05K3/184 , H05K1/0373 , H05K3/182 , H05K3/381 , H05K2201/0158 , H05K2201/0212 , H05K2201/09118 , H05K2201/09909 , H05K2203/0773
Abstract: 简单并低成本地形成掩蔽材料及基体两者均对高频信号的介质衰耗因数低,且两者的密合性优良的导电性电路。将混合有软质聚合物的环烯系树脂注射成形,形成一级基体(1),在它的表面上将具有相容性、未混合有软质聚合物的环烯系树脂注射成形,形成掩蔽层(2)。因为环烯系树脂本身具有耐蚀刻性,因此,可仅对未被掩蔽层2覆盖的一级基体(1)的表面、即应该形成导电性电路的部分(1a),使软质聚合物溶解,进行粗化并同时使之具有亲水性。因此,仅在未被掩蔽层(2)覆盖的部分(1a)上有选择地形成由非电解镀而成的导电层(4)。
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公开(公告)号:CN102471889B
公开(公告)日:2013-11-06
申请号:CN201080030924.6
申请日:2010-07-06
Applicant: 三共化成株式会社
Inventor: 汤本哲男
CPC classification number: H05K3/185 , C23C18/1612 , C23C18/1689 , C23C18/204 , C23C18/208 , H05K3/381 , H05K2203/107 , H05K2203/108 , H05K2203/1476
Abstract: 本发明中,代替化学蚀刻剂,照射激光而将基体的表面粗化,由此确保与非电解镀层之间的充分的密合强度。本发明具备下述工序:第1工序,将基体1成型;第2工序,照射第1激光2而将该基体的表面粗化或仅将该表面中成为电路的部分1a粗化;第3工序,向该基体的表面赋予催化剂3;第4工序,使该基体干燥;第5工序,向不成为电路的部分1b照射第2激光4,使该不成为电路的部分的催化剂的功能降低或消失;第6工序,对该成为电路部分的部分施以非电解镀层。
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公开(公告)号:CN101375649B
公开(公告)日:2011-03-16
申请号:CN200780003590.1
申请日:2007-01-23
Applicant: 三共化成株式会社
Inventor: 汤本哲男
CPC classification number: H05K3/184 , H05K1/0373 , H05K3/182 , H05K3/381 , H05K2201/0158 , H05K2201/0212 , H05K2201/09118 , H05K2201/09909 , H05K2203/0773
Abstract: 简单并低成本地形成掩蔽材料及基体两者均对高频信号的介质衰耗因数低,且两者的密合性优良的导电性电路。将混合有软质聚合物的环烯系树脂注射成形,形成一级基体(1),在它的表面上将具有相容性、未混合有软质聚合物的环烯系树脂注射成形,形成掩蔽层(2)。因为环烯系树脂本身具有耐蚀刻性,因此,可仅对未被掩蔽层2覆盖的一级基体(1)的表面、即应该形成导电性电路的部分(1a),使软质聚合物溶解,进行粗化并同时使之具有亲水性。因此,仅在未被掩蔽层(2)覆盖的部分(1a)上有选择地形成由非电解镀而成的导电层(4)。
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公开(公告)号:CN103053227A
公开(公告)日:2013-04-17
申请号:CN201180033366.3
申请日:2011-02-22
Applicant: 三共化成株式会社
IPC: H05K3/18
CPC classification number: H05K3/381 , C23C18/1608 , C23C18/1612 , C23C18/1635 , C23C18/1641 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/1692 , C23C18/204 , C23C18/2086 , C23C18/30 , C23C18/38 , C25D3/38 , H05K1/0284 , H05K3/0032 , H05K3/182 , H05K2201/09118 , H05K2203/0709
Abstract: 本发明中,仅在成为电路的部分选择性地形成密合性强的化学镀层,在其他不成为电路的部分不进行粗糙化。对合成树脂的基体(1)的成为电路的部分(11)选择性地照射波长为405~1064nm的激光束(2),在吸附钯的离子催化剂后通过还原剂还原为金属钯。然后在成为电路的部分(11)形成化学镀层(3)。由于成为电路的部分(11)被表面改性且粗糙化,因而离子催化剂牢固附着,化学镀层(3)牢固密合。在未照射激光束(2)的不成为电路的部分(12),由于没有吸附离子催化剂,不形成化学镀层(3)。
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公开(公告)号:CN102471889A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201080030924.6
申请日:2010-07-06
Applicant: 三共化成株式会社
Inventor: 汤本哲男
CPC classification number: H05K3/185 , C23C18/1612 , C23C18/1689 , C23C18/204 , C23C18/208 , H05K3/381 , H05K2203/107 , H05K2203/108 , H05K2203/1476
Abstract: 本发明中,代替化学蚀刻剂,照射激光而将基体的表面粗化,由此确保与非电解镀层之间的充分的密合强度。本发明具备下述工序:第1工序,将基体1成型;第2工序,照射第1激光2而将该基体的表面粗化或仅将该表面中成为电路的部分1a粗化;第3工序,向该基体的表面赋予催化剂3;第4工序,使该基体干燥;第5工序,向不成为电路的部分1b照射第2激光4,使该不成为电路的部分的催化剂的功能降低或消失;第6工序,对该成为电路部分的部分施以非电解镀层。
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