导电性电路形成方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101375649B

    公开(公告)日:2011-03-16

    申请号:CN200780003590.1

    申请日:2007-01-23

    发明人: 汤本哲男

    IPC分类号: H05K3/18 H05K3/00

    摘要: 简单并低成本地形成掩蔽材料及基体两者均对高频信号的介质衰耗因数低,且两者的密合性优良的导电性电路。将混合有软质聚合物的环烯系树脂注射成形,形成一级基体(1),在它的表面上将具有相容性、未混合有软质聚合物的环烯系树脂注射成形,形成掩蔽层(2)。因为环烯系树脂本身具有耐蚀刻性,因此,可仅对未被掩蔽层2覆盖的一级基体(1)的表面、即应该形成导电性电路的部分(1a),使软质聚合物溶解,进行粗化并同时使之具有亲水性。因此,仅在未被掩蔽层(2)覆盖的部分(1a)上有选择地形成由非电解镀而成的导电层(4)。

    树脂成型方法和装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1093974A

    公开(公告)日:1994-10-26

    申请号:CN94104606.0

    申请日:1994-04-07

    IPC分类号: B29C45/20

    摘要: 一种树脂成型方法和装置,其中的成型装置用简单的结构和低的价格实现了浇口无冒口系统,熔态树脂通过树脂通道,例如浇口部分和一对浇道部分,从树脂供料部分输送到一对型腔。本方法包括下列步骤:在熔态树脂供入型腔之后,向树脂供料部分移动树脂返回元件,这样布置树脂返回元件,使得其能插进树脂通道,并通过树脂通道移动;使树脂通道中的熔态/固态多余模压树脂因树脂供料部分中的热量而在熔态下返回到树脂供料部分中。

    导电性电路形成方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101375649A

    公开(公告)日:2009-02-25

    申请号:CN200780003590.1

    申请日:2007-01-23

    发明人: 汤本哲男

    IPC分类号: H05K3/18 H05K3/00

    摘要: 简单并低成本地形成掩蔽材料及基体两者均对高频信号的介质衰耗因数低,且两者的密合性优良的导电性电路。将混合有软质聚合物的环烯系树脂注射成形,形成一级基体(1),在它的表面上将具有相容性、未混合有软质聚合物的环烯系树脂注射成形,形成掩蔽层(2)。因为环烯系树脂本身具有耐蚀刻性,因此,可仅对未被掩蔽层2覆盖的一级基体(1)的表面、即应该形成导电性电路的部分(1a),使软质聚合物溶解,进行粗化并同时使之具有亲水性。因此,仅在未被掩蔽层(2)覆盖的部分(1a)上有选择地形成由非电解镀而成的导电层(4)。