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发明公开
CN101388431A 电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管及其制备方法 无效 - 撤回

  • 专利标题： 电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管及其制备方法
  • 专利标题（英）： Distribution of current blocking layer, LED corresponding to the upper electrode and preparation thereof
  • 申请号： CN200810225934.X
    申请日： 2008-11-07
  • 公开(公告)号： CN101388431A
    公开(公告)日： 2009-03-18
  • 发明人: 沈光地 , 陈依新
  • 申请人： 沈光地
  • 申请人地址： 北京市朝阳区平乐园100号
  • 专利权人： 沈光地
  • 当前专利权人： 沈光地
  • 当前专利权人地址： 北京市朝阳区平乐园100号
  • 代理机构： 北京思海天达知识产权代理有限公司
  • 代理商 张慧
  • 主分类号： H01L33/00
  • IPC分类号： H01L33/00
电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管及其制备方法
摘要：
电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管及其制备方法，属于半导体光电子技术领域。其结构包括上电极(10)、电流扩展层(100)、上限制层(300)、有源区(200)、下限制层(400)、缓冲层(500)、衬底(600)、下电极(20)，还包括有位于上电极的正下方的电流阻挡层(120)，电流阻挡层的分布与上电极相对应，在上电极与电流扩展层之间设置有导电光增透层(101)；并且电流阻挡层设置在导电光增透层或电流扩展层或上限制层或有源区里面，或相邻的两层、三层、四层的里面；其中电流阻挡层是通过后工艺实现的。与上电极对应的电流阻挡层几乎完全避免了无效电流产生的光及热损耗，因此，提高了LED光提取效率，增加了发光强度，此结构降低了热的产生，尤其适合于大功率LED的制备。
摘要（英）：

The invention relates to the distribution of a current barrier layer, a light-emitting diode which is corresponding to an upper electrode and a process for preparation, belonging to the technical field of semiconductor photoelectrons. The structure comprises an upper electrode (10), a current spreading layer (100), an upper limiting layer (300), an active region (200), a lower limiting layer (400), a buffer layer (500), an under-layer (600) and a lower electrode (20), and further comprises a current barrier layer (120) located on the right lower portion of the upper electrode, wherein the distribution of the current barrier layer is corresponding to the upper electrode, a conductive light anti-reflection layer (101) is arranged between the upper electrode and the current spreading layer inside the conductive light anti-reflection layer or the current spreading layer or the upper limiting layer or the active region, or inside adjacent two layers, three layers or four layers, wherein the current barrier layer is realized through the post techniques. The current barrier layer corresponding to the upper electrode nearly completely avoids light and heat loss generated by idle current, thereby increasing the light extraction efficiency of the LED, and increasing the light emitting intensity, and the structure reduces the generation of heat, which is especially suitable for the preparation of large-power LEDs.

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