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公开(公告)号：CN101834249A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010159702.6
申请日：2010-04-23
IPC分类号： H01L33/14
摘要： 薄膜型发光二极管中的电流输运结构及其制备方法属于半导体光电子技术领域。该结构依次层叠有上电极(100)、电流扩展层(102)、发光单元(200)、转移衬底(301)、衬底方向的下电极(101)。在上电极(100)下方以及转移衬底(301)上方分别制备上电流阻挡层(104)和下电流阻挡层(105)，且上电流阻挡层(104)和下电流阻挡层(105)在层叠方向的位置相对应。对于上述结构的发光二极管，本发明还介绍了一种制备方法。本发明的这种结构方式在薄膜型发光二极管中能够起到彻底阻挡注入电流的作用，避免了注入电流产生的光子被电极阻挡和吸收，大大地提高了有效电流的比例，同时也增加了出光效率，减少了热的产生。
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公开(公告)号：CN101388431A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810225934.X
申请日：2008-11-07
申请人： 沈光地
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/145
摘要： 电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管及其制备方法，属于半导体光电子技术领域。其结构包括上电极(10)、电流扩展层(100)、上限制层(300)、有源区(200)、下限制层(400)、缓冲层(500)、衬底(600)、下电极(20)，还包括有位于上电极的正下方的电流阻挡层(120)，电流阻挡层的分布与上电极相对应，在上电极与电流扩展层之间设置有导电光增透层(101)；并且电流阻挡层设置在导电光增透层或电流扩展层或上限制层或有源区里面，或相邻的两层、三层、四层的里面；其中电流阻挡层是通过后工艺实现的。与上电极对应的电流阻挡层几乎完全避免了无效电流产生的光及热损耗，因此，提高了LED光提取效率，增加了发光强度，此结构降低了热的产生，尤其适合于大功率LED的制备。
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公开(公告)号：CN102842850A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210252511.3
申请日：2012-07-20
申请人： 沈光地
IPC分类号： H01S5/024
摘要： 双面散热的高效大功率半导体激光器及其制备方法，属于半导体光电子技术领域。其包括：从上往下依次纵向层叠的具有散热和高导电导热功能的转移衬底，上散热电极，上重掺接触层，上限制层，有源区，下限制层，下重掺接触层，下散热电极。其在制备过程中引入外延结构。所述的外延结构带有腐蚀停层或带有牺牲层。带有腐蚀停层的外延结构，包括有依次纵向层叠的上重掺接触层，上限制层，有源区，下限制层，下重掺接触层，腐蚀停层，缓冲层，衬底。带有牺牲层的外延结构，包括有依次纵向层叠的上重掺接触层，上限制层，有源区，下限制层，下重掺接触层，牺牲层，缓冲层，衬底。本发明器件散热性能好，激光输出功率高，光电特性好，使用寿命长，节约成本。
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公开(公告)号：CN104638077A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510028774.X
申请日：2015-01-20
摘要： 一种光输出增强的发光器件，包括：透明衬底，第一发光功能层，其中，所述第一发光功能层包括第一导电类型的第一半导体层、第一有源层和第二导电类型的第二半导体层，所述第一源层被设置在所述第一半导体层和第二半导体层之间，第二发光功能层，其中，所述第二发光功能层包括第二导电类型的第三半导体层、第二有源层和第一导电类型的第四半导体层，所述第二源层被设置在所述第三半导体层和第四半导体层之间，以及所述第一发光功能层和第二发光功能层互相叠置，以及第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极被设置在该发光器件的同一侧面上。进一步还提供了一种该发光器件的方法。该发光器件不但能够在最佳电流密度下工作，增强光输出，而且能节约生产成本，从而得到性价比高的发光器件。
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公开(公告)号：CN104576886A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510006986.8
申请日：2015-01-07
CPC分类号： H01L33/36 , H01L33/005 , H01L33/60 , H01L33/62
摘要： 一种无损共平面电极的发光器件，包括：透明衬底；第一等电位层和第二等电位层，其设置在所述透明衬底表面上；发光功能层，夹在所述第一等电位层和第二等电位层之间，其中，发光功能层包括第一半导体层、第二半导体层以及有源层，所述有源层被设置在所述第一半导体层和第二半导体层之间，且所述第一半导体层和所述第二半导体层的导电类型不同；以及第一电极，所述第一电极连接到所述第一等电位层；以及第二电极，所述第二电极连接到所述第一等电位层；所述第一电极和所述第二电极在同一平面。还提供了一种无损共平面电极的发光器件的制造方法，以及使用该无损共平面电极的发光器件构成的垂直式交流发光元件。不但改善了有源区发光的均匀度，提高了光的提取效率，可实现无金线压焊封装，从而得到高品质的发光器件，而且还能简化工艺步骤、节省工艺成本。
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公开(公告)号：CN201699049U
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201020174394.X
申请日：2010-04-23
IPC分类号： H01L33/14
摘要： 双电流阻挡层电流输运结构的薄膜型发光二极管属于半导体光电子技术领域。该结构依次层叠有上电极(100)、电流扩展层(102)、发光单元(200)、转移衬底(301)、衬底方向的下电极(101)。在上电极(100)下方以及转移衬底(301)上方分别制备上电流阻挡层(104)和下电流阻挡层(105)，且上电流阻挡层(104)和下电流阻挡层(105)在层叠方向的位置相对应。本实用新型的这种结构方式在薄膜型发光二极管中能够起到彻底阻挡注入电流的作用，避免了注入电流产生的光子被电极阻挡和吸收，大大地提高了有效电流的比例，同时也增加了出光效率，减少了热的产生。
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公开(公告)号：CN201349018Y
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200820123610.0
申请日：2008-11-07
申请人： 沈光地
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管，属半导体光电子技术领域。它包括上电极(10)、电流扩展层(100)、上限制层(300)、有源区(200)、下限制层(400)、缓冲层(500)、衬底(600)、下电极(20)，在上电极与电流扩展层之间设置有导电光增透层(101)，电流阻挡层(120)的形状与上电极的形状相同，位于上电极的正下方，并且电流阻挡层设置在导电光增透层或电流扩展层或上限制层或有源区里面，或相邻的两层、三层、四层的里面。本实用新型的结构主要由后工艺实现，工艺简单，与上电极对应的电流阻挡层几乎完全避免了无效电流产生的光及热损耗，因此，提高了LED光提取效率，增加了发光强度，器件更有利于大电流下工作，此结构大大降低了热的产生，尤其适合于大功率LED的制备。
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