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公开(公告)号：CN102842850A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210252511.3
申请日：2012-07-20
申请人： 沈光地
IPC分类号： H01S5/024
摘要： 双面散热的高效大功率半导体激光器及其制备方法，属于半导体光电子技术领域。其包括：从上往下依次纵向层叠的具有散热和高导电导热功能的转移衬底，上散热电极，上重掺接触层，上限制层，有源区，下限制层，下重掺接触层，下散热电极。其在制备过程中引入外延结构。所述的外延结构带有腐蚀停层或带有牺牲层。带有腐蚀停层的外延结构，包括有依次纵向层叠的上重掺接触层，上限制层，有源区，下限制层，下重掺接触层，腐蚀停层，缓冲层，衬底。带有牺牲层的外延结构，包括有依次纵向层叠的上重掺接触层，上限制层，有源区，下限制层，下重掺接触层，牺牲层，缓冲层，衬底。本发明器件散热性能好，激光输出功率高，光电特性好，使用寿命长，节约成本。
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公开(公告)号：CN101834249A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010159702.6
申请日：2010-04-23
IPC分类号： H01L33/14
摘要： 薄膜型发光二极管中的电流输运结构及其制备方法属于半导体光电子技术领域。该结构依次层叠有上电极(100)、电流扩展层(102)、发光单元(200)、转移衬底(301)、衬底方向的下电极(101)。在上电极(100)下方以及转移衬底(301)上方分别制备上电流阻挡层(104)和下电流阻挡层(105)，且上电流阻挡层(104)和下电流阻挡层(105)在层叠方向的位置相对应。对于上述结构的发光二极管，本发明还介绍了一种制备方法。本发明的这种结构方式在薄膜型发光二极管中能够起到彻底阻挡注入电流的作用，避免了注入电流产生的光子被电极阻挡和吸收，大大地提高了有效电流的比例，同时也增加了出光效率，减少了热的产生。
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公开(公告)号：CN101388431A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810225934.X
申请日：2008-11-07
申请人： 沈光地
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/145
摘要： 电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管及其制备方法，属于半导体光电子技术领域。其结构包括上电极(10)、电流扩展层(100)、上限制层(300)、有源区(200)、下限制层(400)、缓冲层(500)、衬底(600)、下电极(20)，还包括有位于上电极的正下方的电流阻挡层(120)，电流阻挡层的分布与上电极相对应，在上电极与电流扩展层之间设置有导电光增透层(101)；并且电流阻挡层设置在导电光增透层或电流扩展层或上限制层或有源区里面，或相邻的两层、三层、四层的里面；其中电流阻挡层是通过后工艺实现的。与上电极对应的电流阻挡层几乎完全避免了无效电流产生的光及热损耗，因此，提高了LED光提取效率，增加了发光强度，此结构降低了热的产生，尤其适合于大功率LED的制备。
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公开(公告)号：CN203056367U
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201220354910.6
申请日：2012-07-20
申请人： 沈光地
IPC分类号： H01S5/024
摘要： 双面散热的高效大功率半导体激光器，属于半导体光电子技术领域。其包括：从上往下依次纵向层叠的具有散热和高导电导热功能的转移衬底，上散热电极，上重掺接触层，上限制层，有源区，下限制层，下重掺接触层，下散热电极。其在制备过程中引入外延结构。所述的外延结构带有腐蚀停层或带有牺牲层。带有腐蚀停层的外延结构，包括有依次纵向层叠的上重掺接触层，上限制层，有源区，下限制层，下重掺接触层，腐蚀停层，缓冲层，衬底。带有牺牲层的外延结构，包括有依次纵向层叠的上重掺接触层，上限制层，有源区，下限制层，下重掺接触层，牺牲层，缓冲层，衬底。本实用新型器件散热性能好，激光输出功率高，光电特性好。使用寿命长。节约成本。
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公开(公告)号：CN201699049U
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201020174394.X
申请日：2010-04-23
IPC分类号： H01L33/14
摘要： 双电流阻挡层电流输运结构的薄膜型发光二极管属于半导体光电子技术领域。该结构依次层叠有上电极(100)、电流扩展层(102)、发光单元(200)、转移衬底(301)、衬底方向的下电极(101)。在上电极(100)下方以及转移衬底(301)上方分别制备上电流阻挡层(104)和下电流阻挡层(105)，且上电流阻挡层(104)和下电流阻挡层(105)在层叠方向的位置相对应。本实用新型的这种结构方式在薄膜型发光二极管中能够起到彻底阻挡注入电流的作用，避免了注入电流产生的光子被电极阻挡和吸收，大大地提高了有效电流的比例，同时也增加了出光效率，减少了热的产生。
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公开(公告)号：CN201349018Y
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200820123610.0
申请日：2008-11-07
申请人： 沈光地
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管，属半导体光电子技术领域。它包括上电极(10)、电流扩展层(100)、上限制层(300)、有源区(200)、下限制层(400)、缓冲层(500)、衬底(600)、下电极(20)，在上电极与电流扩展层之间设置有导电光增透层(101)，电流阻挡层(120)的形状与上电极的形状相同，位于上电极的正下方，并且电流阻挡层设置在导电光增透层或电流扩展层或上限制层或有源区里面，或相邻的两层、三层、四层的里面。本实用新型的结构主要由后工艺实现，工艺简单，与上电极对应的电流阻挡层几乎完全避免了无效电流产生的光及热损耗，因此，提高了LED光提取效率，增加了发光强度，器件更有利于大电流下工作，此结构大大降低了热的产生，尤其适合于大功率LED的制备。
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