发明公开
CN101454902A 存储元件、数据记录方法以及IC标签
失效 - 权利终止
- 专利标题: 存储元件、数据记录方法以及IC标签
- 专利标题(英): Memory element, data recording method, and ic tag
-
申请号: CN200780020021.8申请日: 2007-05-18
-
公开(公告)号: CN101454902A公开(公告)日: 2009-06-10
- 发明人: 原本雄一郎 , 加藤孝正 , 广岛纲纪
- 申请人: 国立大学法人山梨大学 , 日本化学工业株式会社
- 申请人地址: 日本山梨县
- 专利权人: 国立大学法人山梨大学,日本化学工业株式会社
- 当前专利权人: 国立大学法人山梨大学,日本化学工业株式会社
- 当前专利权人地址: 日本山梨县
- 代理机构: 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇; 李茂家
- 优先权: 151785/2006 2006.05.31 JP
- 国际申请: PCT/JP2007/060199 2007.05.18
- 国际公布: WO2007/138883 JA 2007.12.06
- 进入国家日期: 2008-11-28
- 主分类号: H01L27/10
- IPC分类号: H01L27/10 ; G11C17/00 ; H01L27/105 ; H01L27/28 ; H01L51/05 ; H01L51/30
摘要:
本发明的存储元件,其特征在于,该存储元件通过对含有液晶化合物的导电性液晶半导体材料层光斑照射激光而选择性地进行加热处理,并利用该液晶化合物的液晶状态的分子取向来存储信息,其中,其具有:第1电极群,其由彼此平行的多根线状电极所形成;和,导电性液晶半导体材料层,其以覆盖前述第1电极群的方式形成,并含有具有长直线型共轭结构部分且具有近晶相作为液晶相的液晶化合物;和,第2电极群,其由在前述导电性液晶半导体材料层上沿着与前述第1电极群的电极交叉的方向延伸的彼此平行的多根线状透明电极所形成。
公开/授权文献
- CN101454902B 存储元件、数据记录方法、数据读取方法以及IC标签 公开/授权日:2010-11-03