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公开(公告)号：CN115513375A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211159467.1
申请日：2022-09-22
申请人： 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC分类号： H01L51/05 , H01L27/28 , H03K19/0948
摘要： 本公开提供了一种CMOS反相器和电子器件。本公开的CMOS反相器可以包括NMOS晶体管和PMOS晶体管，所述NMOS晶体管与所述PMOS晶体管均采用背面双栅结构，NMOS晶体管和PMOS晶体管通过电连接形成所述CMOS反相器。本公开实施例的CMOS反相器能够大幅度降低碳纳米管数字电路的关态电流和静态功耗。
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公开(公告)号：CN115425094A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210942321.8
申请日：2022-08-05
申请人： 深圳黑晶光电技术有限公司
发明人： 不公告发明人
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/042 , H01L51/44 , H01L51/42 , H01L27/28 , H01L31/18 , H01L51/48
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池及其制备方法，其涉及光伏技术领域，该钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池包括顶部子电池和底部子电池，其中：按照入射光线顺序，所述顶部子电池包括：顶电极、窗口层、第一载流子传输层、吸收层、第二载流子传输层；按照入射光线顺序，所述底部子电池包括：上层载流子传输结构、硅衬底、下层载流子传输结构、底部钝化层、底电极。本发明通过改良的硅电池制备方法，减少了叠层电池工艺制备流程，从而满足钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的产业化应用需求。
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公开(公告)号：CN115420788A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211071534.4
申请日：2022-09-01
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： G01N27/414 , H01L27/28 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
摘要： 本发明提供一种用于多种气体识别的碳基薄膜晶体管型传感器阵列及其制备方法，传感器阵列结构包括四个独立的气体检测通道，每个气体检测通道由硅基衬底、介电层、源极电极、漏极电极及沟道有源层构成传感组件。沟道有源层所在的区域的敏感材料层，用于提高沟道有源层CNT的选择性。每个气体检测通道的CNT‑TFT型传感组件通过暴露在目标气体前后，将气体的变化转变为电学信号，对气体进行信息采集和输出电信号。基于四个气体检测通道的响应输出结合线性判别分析算法通过分析信息识别出气体。本发明提出的用多种气体识别的碳基薄膜晶体管型传感器阵列，能实现对氨气、硫化氢和甲醛三种气体的高灵敏检测和准确识别，促进室内多种有害气体的实时在线监测。
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公开(公告)号：CN115411113A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202110591152.3
申请日：2021-05-28
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L21/34 , H01L27/12 , H01L51/05 , H01L51/40 , H01L27/28
摘要： 一种薄膜晶体管、阵列基板以及薄膜晶体管的制备方法，该薄膜晶体管包括：衬底基板；依次层叠设置在衬底基板上的第一有源层、第一绝缘层和第二有源层；其中，第一有源层通过位于第一绝缘层中的第一过孔结构与第二有源层接触，第一有源层与第二有源层未接触的部分通过第一绝缘层间隔开，该薄膜晶体管具有多个有源层结构，使得电荷分别聚集在每个有源层的两个表面，从而使得聚集在有源层的表面的电荷的数量成倍地增加，进而使得薄膜晶体管的开态电流成倍地增加。
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公开(公告)号：CN115295578A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210910973.3
申请日：2022-07-29
申请人： 杭州领挚科技有限公司
IPC分类号： H01L27/28
摘要： 本申请实施例公开了一种传感像素单元、阵列和结构，该传感像素单元包括：第一开关晶体管、第二开关晶体管和传感晶体管；所述第一开关晶体管作为所述传感晶体管的导通开关；所述第二开关晶体管作为所述传感晶体管的第三栅极的选通开关。通过该实施例方案，实现了有源寻址功能，从而在微阵列芯片的电极修饰阶段可按需选择对特定像素的工作电极进行探针修饰，并且使得检测功能不受影响，提高检测准确性。
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公开(公告)号：CN111063703B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN201911259325.0
申请日：2019-12-10
申请人： TCL华星光电技术有限公司
摘要： 本发明提供一种阵列基板及显示装置，该阵列基板的驱动电路层形成有第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管，例如P型薄膜晶体管的有源层材料为有机导电高分子材料；基于该结构，通过使用有机导电高分子材料作为第一薄膜晶体管的有源层材料，解决了陈列基板的柔性受制于低温多晶硅材料特性的技术问题，增强了阵列基板的柔性，同时基于有机导电高分子材料的高迁移率，实现了第一薄膜晶体管的高迁移率，减小了显示器件大小，提高了开口率，降低了漏电流。
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公开(公告)号：CN115132748A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210722345.2
申请日：2019-04-29
申请人： 武汉天马微电子有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种显示面板和显示装置，该显示面板包括：传感器设置区，围绕所述传感器设置区的显示区；所述传感器设置区包括至少一个感光元件设置区；每个所述感光元件设置区的光透过率均相同。本发明实施例提供的技术方案，可使每个感光元件设置区的光透过率均相同，从而有利于提升传感器模块的感光效果。
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公开(公告)号：CN111370578B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202010205183.6
申请日：2020-03-20
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种仿生晶体管结构及其特征时间的控制方法，其中，该仿生晶体管结构包括：背栅介质层；背栅半导体衬底层，叠置在背栅介质层之下；单壁碳纳米管沟道层，叠置在背栅介质层之上；有机薄膜层，叠置在单壁碳纳米管沟道层之上，且该有机薄膜层和单壁碳纳米管沟道层未被有机薄膜层覆盖的部分直接暴露于空气中；以及源漏金属层，叠置在背栅介质层之上，并设置于有机薄膜层和单壁碳纳米管沟道层的两侧。本发明提供的该仿生晶体管结构及其特征时间的控制方法，相比传统晶体管器件，具有含时变化的特性，在特定输入条件下可以断电工作，使静态功耗降低至零，适合超低功耗电路应用。
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公开(公告)号：CN110047852B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN201910357162.3
申请日：2019-04-29
申请人： 武汉天马微电子有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种显示面板和显示装置，该显示面板包括：传感器设置区，围绕所述传感器设置区的显示区；所述传感器设置区包括至少一个感光元件设置区；每个所述感光元件设置区的光透过率均相同。本发明实施例提供的技术方案，可使每个感光元件设置区的光透过率均相同，从而有利于提升传感器模块的感光效果。
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公开(公告)号：CN114512508A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202111659252.1
申请日：2021-12-31
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要： 本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种基于钙钛矿/TOPCon的叠层太阳能电池，所述基于钙钛矿/TOPCon的叠层太阳能电池，包括作为底电池的TOPCon结构、中间层和作为顶电池的钙钛矿结构；所述TOPCon结构包括硅片层，所述硅片层的一侧表面层叠设置有氧化硅层、p型掺杂多晶硅层和金属电极层，所述硅片层的另一侧表面层叠设置有氧化硅层和n型掺杂多晶硅层；其中n型掺杂多晶硅层与中间层贴合，氧化硅层与硅片层接触。采用TOPCon结构对硅电池进行钝化，解决顶电池工艺温度的限制，提高叠层太阳能电池的性能。
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