发明公开
- 专利标题: 相变存储器与相变存储器的控制方法
- 专利标题(英): Phase-change memory device and its control method
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申请号: CN200710159854.4申请日: 2007-12-25
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公开(公告)号: CN101471130A公开(公告)日: 2009-07-01
- 发明人: 林烈萩 , 许世玄 , 江培嘉 , 林文斌
- 申请人: 财团法人工业技术研究院 , 力晶半导体股份有限公司 , 南亚科技股份有限公司 , 茂德科技股份有限公司 , 华邦电子股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹县
- 专利权人: 财团法人工业技术研究院,力晶半导体股份有限公司,南亚科技股份有限公司,茂德科技股份有限公司,华邦电子股份有限公司
- 当前专利权人: 西格斯教育资本有限责任公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹县
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 蒲迈文
- 主分类号: G11C11/56
- IPC分类号: G11C11/56
摘要:
本发明提供一种相变存储器技术,其中令多个相变储存单元串联以共享一电流源,并且以多个开关控制该电流源所提供的一输入电流的电流路径。本发明通过控制所述开关与该输入电流设定所述相变储存单元的电阻值以储存数据,其中,不同数据储存于所述相变储存单元时,所述相变储存单元具有不同的电阻和。
公开/授权文献
- CN101471130B 相变存储器与相变存储器的控制方法 公开/授权日:2011-08-24