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公开(公告)号：CN101793256B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200910006155.5
申请日：2009-02-03
申请人： 力晶半导体股份有限公司
摘要： 一种风扇模块，其包括底座、电源盒以及风扇本体。底座包括底板与多个卡合部，卡合部位于底板上。电源盒配置在底板上，包括电源电极。风扇本体包括扇框、扇叶组、多个凸缘以及风扇电极。扇框具有容置空间，扇叶组位于容置空间中。凸缘位于扇框的外周缘，借由使凸缘分别卡合于卡合部或从卡合部分离，而使风扇本体与底座结合或分离。风扇电极与扇叶组连接，当风扇本体与底座结合时，风扇电极与电源电极接触。
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公开(公告)号：CN101685775B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200810165772.5
申请日：2008-09-23
申请人： 力晶半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8247 , H01L21/762 , H01L21/314
摘要： 一种元件的制造方法。提供具有至少二隔离结构的基底。在隔离结构之间的基底上依序形成第一氧化物层及第一导体层。进行第一氮化工艺，以在第一导体层及隔离结构的表面上分别形成第一氮化物层及第一氮氧化物层。形成第二氧化物层在第一氮化物层及第一氮氧化物层上。进行一密实工艺，以氧化隔离结构的表面上的第一氮氧化物层。形成第二氮化物层在第二氧化物层上。形成第三氧化物层在第二氮化物上。进行第二氮化工艺，以在第三氧化物层的表面上形成第三氮化物层。形成第二导体层在第三氮化物层上。
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公开(公告)号：CN101271909B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200710088405.5
申请日：2007-03-22
申请人： 力晶半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/82
摘要： 本发明提供一种图像传感器，其包含定义于半导体基底上的多个像素、依序设于像素电极上的光导层以及透明导电层、以及设于任意两个相邻的像素电极之间的遮蔽元件。遮蔽元件包含有遮蔽电极与绝缘结构，包覆该遮蔽电极，以使遮蔽电极隔离于像素电极和光导层。
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公开(公告)号：CN101236927B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200710004742.1
申请日：2007-01-30
申请人： 力晶半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L21/768 , H01L27/115 , H01L23/522
摘要： 一种自行对准接触窗的制造方法。此方法包括提供已形成有多个NAND型存储单元行的基底，NAND型存储单元行包括漏极区。接着，在基底上形成层间介电层，以覆盖NAND型存储单元行。再来，图案层间介电层，以形成多个开口，开口暴露出漏极区。继之，进行选择性硅成长工艺，以在开口所暴露的漏极区上形成材料层。之后，在材料层上形成金属层以填满开口。
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公开(公告)号：CN101174621B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200610143265.2
申请日：2006-11-01
申请人： 力晶半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/06 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L21/8239 , H01L21/8247
摘要： 本发明涉及一种具有电容器的半导体器件，包括基底、隔离结构、存储器、电容器、介电层、下电极插塞与上电极插塞。基底包括第一区与第二区。隔离结构设置于基底中，至少于第一区定义出有源区。存储器设置于第二区，由基底起包括穿隧介电层、浮置栅极与控制栅极。电容器设置于第一区，包括下电极、电容介电层与上电极。下电极与浮置栅极是由相同的材料层形成的；上电极与控制栅极由相同的材料层所形成。介电层设置于下电极与基底之间，介电层的厚度大于穿隧介电层的厚度。下电极插塞设置于有源区上方，电连接下电极。上电极插塞则与上电极电连接。
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公开(公告)号：CN101764194A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200810190672.8
申请日：2008-12-26
申请人： 财团法人工业技术研究院 , 力晶半导体股份有限公司 , 南亚科技股份有限公司 , 茂德科技股份有限公司 , 华邦电子股份有限公司
摘要： 一种相变化存储装置及其制造方法。相变化内存装置，包括：基底，其上设置有第一介电层；第一电极，设置于该第一介电层内；第二介电层，位于该第一介电层上；加热电极，设置于该第二介电层内；相变化材料层，位于该第二介电层上；以及第二电极，位于该相变化材料层之上，其中该加热电极具有接触该第一电极的第一部以及接触该相变化材料层的第二部，该第二部包括金属硅化物而该第一部不包括金属硅化物。
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公开(公告)号：CN101399314B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710161258.X
申请日：2007-09-25
申请人： 财团法人工业技术研究院 , 力晶半导体股份有限公司 , 南亚科技股份有限公司 , 茂德科技股份有限公司 , 华邦电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种相变化存储器及其制造方法。该相变化存储器包含：电极；第一介电层，该第一介电层形成于该电极之上；开口，该开口贯穿该第一介电层，以露出该电极；加热源，该加热源形成于该开口内并与该电极接触，其中该加热源具有加热源延伸部，延伸出该开口；第二介电层，覆盖该加热源，露出该加热源延伸部的顶部；以及，相变化材料层，形成于该第二介电层之上，与该加热源延伸部的顶部直接接触。
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公开(公告)号：CN101383397B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810099165.3
申请日：2008-05-14
申请人： 财团法人工业技术研究院 , 力晶半导体股份有限公司 , 南亚科技股份有限公司 , 茂德科技股份有限公司 , 华邦电子股份有限公司
发明人： 陈达
CPC分类号： G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1691
摘要： 本发明公开了一种相变化存储器元件及其制造方法。根据本发明的相变化存储器元件，第二导电间隙壁位于第一导电间隙壁下方。相变化层，包括第一部分和第二部分，其中第一部分大体上平行第一和第二导电间隙壁。第二部分位于第二导电间隙壁上，其中第二导电间隙壁经由相变化层的第二部分，电性连接第一导电间隙壁。
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公开(公告)号：CN100578800C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200610171714.4
申请日：2006-12-19
申请人： 力晶半导体股份有限公司
发明人： 三井田高
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/822
摘要： 本发明公开一种图像传感器，其包含衬底、包含多个像素的像素矩阵定义于该衬底上、光导层以及遮蔽电极依序设于各像素的像素电极、以及遮蔽电极位于任二相邻像素的像素电极之间，且遮蔽电极系列成网状物而设于个像素电极外围。
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公开(公告)号：CN100573951C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200710007248.0
申请日：2007-01-25
申请人： 财团法人工业技术研究院 , 力晶半导体股份有限公司 , 南亚科技股份有限公司 , 茂德科技股份有限公司 , 华邦电子股份有限公司
发明人： 陈维恕
摘要： 本发明提供相变存储装置包括：基板；第一电极层，形成于基板上；第一相变存储结构，形成于第一电极层上，且电连接至第一电极层；第二相变存储结构，形成于第一相变存储结构上，且电连接至第一相变存储结构，其中第一或第二相变存储结构包括：杯形加热电极，设置于第一介电层中；第一绝缘层，沿第一方向设置于第一介电层上，且部分覆盖于杯形加热电极；第二介电层，设置于第一绝缘层和第一介电层上；第一电极结构，沿第二方向设置于第二介电层中，且部分覆盖于第一绝缘层和杯形加热电极，其中上述第一电极结构具有一对相变材料间隙壁，设置于第一电极结构的一对侧壁上，且部分覆盖于杯形加热电极。本发明还涉及相变存储装置的制造方法。
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