发明公开
- 专利标题: 半导体传感器以及半导体传感器的制造方法
- 专利标题(英): Semiconductor sensor and method for manufactruing the same
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申请号: CN200910005272.X申请日: 2009-01-22
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公开(公告)号: CN101493394A公开(公告)日: 2009-07-29
- 发明人: 泷泽照夫 , 近藤贵幸 , 轰原正义
- 申请人: 精工爱普生株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 精工爱普生株式会社
- 当前专利权人: 精工爱普生株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 余刚; 吴孟秋
- 优先权: 2008-012925 2008.01.23 JP
- 主分类号: G01N5/02
- IPC分类号: G01N5/02 ; H01L41/083 ; H01L41/22
摘要:
本发明提供了一种廉价且高灵敏度的半导体传感器以及该半导体传感器的制造方法。其中,该半导体传感器包括:多层压电薄膜,层压在半导体基板上;一对电极,形成在所述多层压电薄膜中的至少上下一对的压电薄膜的界面上,用于激发表面弹性波;金属薄膜,形成在最下层的压电薄膜与所述最下层的压电薄膜正下面的薄膜的界面上,并且,促进最上层的压电薄膜的表面上的凸凹部的生成;以及感应膜,在所述最上层的压电薄膜上至少形成在所述凸凹部上,用于分子吸附。
公开/授权文献
- CN101493394B 半导体传感器以及半导体传感器的制造方法 公开/授权日:2011-11-30