发明公开
- 专利标题: 电子回旋共振等离子体源
- 专利标题(英): Ecr plasma source
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申请号: CN200780035241.8申请日: 2007-08-08
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公开(公告)号: CN101517691A公开(公告)日: 2009-08-26
- 发明人: J·马伊 , V·费尔 , B·拉乌
- 申请人: 德国罗特·劳股份有限公司
- 申请人地址: 德国霍恩施泰因-恩斯塔尔
- 专利权人: 德国罗特·劳股份有限公司
- 当前专利权人: 霍赫劳微系统有限公司
- 当前专利权人地址: 德国霍恩施泰因-恩斯塔尔
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 邓斐
- 优先权: 102006037144.5 2006.08.09 DE
- 国际申请: PCT/DE2007/001441 2007.08.08
- 国际公布: WO2008/017304 DE 2008.02.14
- 进入国家日期: 2009-03-23
- 主分类号: H01J37/32
- IPC分类号: H01J37/32
摘要:
本发明涉及一种ECR等离子体源,包括一个同轴的微波供给线(1),它具有一内导体(2)和一外导体(3),其中,内导体(2)以其一个端头作为天线(7)绝缘地穿过一个真空法兰(5),该真空法兰将壁中通往等离子体室(6)一个孔口封闭。与微波供给线(1)同轴地设置一个多极磁体装置(8),其磁场穿过真空法兰(5),并在等离子体室(6)中与天线(7)同轴地形成一个环形缝隙磁场(12)。天线(7)直接伸入到等离子体室(6)中,并且对置于内导体(2)具有一个在径向加大的天线头(14),在该天线头上平行于真空法兰(5)有一个底面(15),使得在真空法兰(5)和底面(15)之间形成一个环形缝隙(16);并且等离子体室(6)与天线(7)同轴地和径向上在环形缝隙磁场(12)的外面由一个屏蔽(13)加以限界,该屏蔽的背向真空法兰的端面确定出等离子体出口(25)。
公开/授权文献
- CN101517691B 电子回旋共振等离子体源 公开/授权日:2012-06-20