发明授权
- 专利标题: 电子回旋共振等离子体源
- 专利标题(英): Ecr plasma source
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申请号: CN200780035241.8申请日: 2007-08-08
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公开(公告)号: CN101517691B公开(公告)日: 2012-06-20
- 发明人: J·马伊 , V·费尔 , B·拉乌
- 申请人: 霍赫劳微系统有限公司
- 申请人地址: 德国霍恩施泰因-恩斯塔尔
- 专利权人: 霍赫劳微系统有限公司
- 当前专利权人: 霍赫劳微系统有限公司
- 当前专利权人地址: 德国霍恩施泰因-恩斯塔尔
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 邓斐
- 优先权: 102006037144.5 2006.08.09 DE
- 国际申请: PCT/DE2007/001441 2007.08.08
- 国际公布: WO2008/017304 DE 2008.02.14
- 进入国家日期: 2009-03-23
- 主分类号: H01J37/32
- IPC分类号: H01J37/32
摘要:
本发明涉及一种电子回旋共振等离子体源,包括同轴的微波供给线,它具有内导体和外导体,内导体以其一个端头作为天线绝缘地穿过真空法兰,该真空法兰将壁中通往等离子体室的孔口封闭。与微波供给线同轴地设置多极磁体装置,其磁场穿过真空法兰,并在等离子体室中与天线同轴地形成环形缝隙磁场(12)。天线直接伸入到等离子体室中,对置于内导体具有在径向加大的天线头(14),在该天线头上平行于真空法兰有一个底面(15),在真空法兰和底面之间形成环形缝隙(16);等离子体室与天线同轴地和径向上在环形缝隙磁场的外面由一个屏蔽(13)加以限界,该屏蔽的背向真空法兰的端面确定出等离子体出口(25)。
公开/授权文献
- CN101517691A 电子回旋共振等离子体源 公开/授权日:2009-08-26