发明授权
- 专利标题： 清洗厚膜光刻胶的清洗剂
- 专利标题（英）： Cleaning compound for removing photoresist
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申请号： CN200780044774.2申请日： 2007-12-10
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公开(公告)号： CN101548242B公开(公告)日： 2013-07-10
- 发明人: 彭洪修 , 史永涛 , 刘兵
- 申请人： 安集微电子(上海)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室
- 专利权人： 安集微电子(上海)有限公司
- 当前专利权人： 安集微电子(上海)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室
- 代理机构： 上海翰鸿律师事务所
- 代理商 李佳铭
- 国际申请： PCT/CN2007/003518 2007.12.10
- 国际公布： WO2008/071077 ZH 2008.06.19
- 进入国家日期： 2009-06-03
- 主分类号： G03F7/42
- IPC分类号： G03F7/42 ; H01L21/02 ; C23G1/06 ; C11D1/83
摘要：
一种光刻胶清洗剂包括二甲基亚砜、氢氧化钾、烷基醇胺和烷基二醇单苯基醚。该清洗剂可除去金属、金属合金或电介质基材上的100μm厚的光刻胶。
公开/授权文献
- CN101548242A 清洗厚膜光刻胶的清洗剂 公开/授权日：2009-09-30