发明授权
CN101569243B 减少等离子体辐射源中的快离子
失效 - 权利终止
- 专利标题: 减少等离子体辐射源中的快离子
- 专利标题(英): Reducing fast ions in a plasma radiation source
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申请号: CN200780046938.5申请日: 2007-12-19
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公开(公告)号: CN101569243B公开(公告)日: 2012-12-05
- 发明人: V·V·伊万诺夫 , V·Y·班尼恩 , K·N·科什烈夫
- 申请人: ASML荷兰有限公司
- 申请人地址: 荷兰维德霍温
- 专利权人: ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人: ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人地址: 荷兰维德霍温
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 王新华
- 优先权: 11/641,945 2006.12.20 US
- 国际申请: PCT/NL2007/050670 2007.12.19
- 国际公布: WO2008/075952 EN 2008.06.26
- 进入国家日期: 2009-06-18
- 主分类号: H05G2/00
- IPC分类号: H05G2/00 ; G03F7/20
摘要:
本发明提供一种减少等离子体辐射源中的快离子的方法。本发明公开一种具有阳极和阴极的辐射源以在阳极和阴极之间的放电空间内产生放电。在辐射源中形成等离子体,这产生例如EUV辐射的电磁辐射。辐射源包括第一激活源以将第一能量脉冲引导到放电空间附近的辐射源中的第一点上,以产生触发放电的主等离子体通道。辐射源还具有第二激活源以将第二能量脉冲引导到放电空间附近的辐射源中的第二点上,以便产生附加的等离子体通道。通过在同一的放电期间引导第二能量脉冲,实现主等离子体电流的短接,这又会减小快离子产生的量。
公开/授权文献
- CN101569243A 减少等离子体辐射源中的快离子 公开/授权日:2009-10-28