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公开(公告)号：CN101978791B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200980109474.7
申请日：2009-03-20
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： H05G2/00
摘要： 一种靶材被配置成用于被构造且被布置以产生具有在6.8nm范围内的波长的辐射束的源中。靶材包括被配置以改变Gd的熔化温度的基于Gd的合成物，或Tb，或被配置以减小Tb的熔化温度的基于Tb的合成物。
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公开(公告)号：CN101960338B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200980106463.3
申请日：2009-02-24
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： W·A·索尔 , V·Y·班尼恩 , J·H·J·莫尔斯 , M·M·J·W·范赫彭 , A·M·亚库林
CPC分类号： G02B5/208 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G02B5/22 , G02B5/26 , G03F7/70191 , G03F7/702 , G03F7/70575 , G03F7/70958 , G21K1/067 , G21K2201/061 , G21K2201/064 , G21K2201/065 , G21K2201/067
摘要： 一种光学元件包括第一层(4)，所述第一层包括第一材料，并配置成对第一波长的辐射是基本上反射的并且对第二波长的辐射是基本上透明的。光学元件包括第二层(2)，所述第二层包括第二材料，并配置成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的或透明的。光学元件包括第三层(3)，位于所述第一层和所述第二层之间的所述第三层包括第三材料，并对所述第二波长的辐射是基本上透明的并且配置成减小所述第二波长的辐射从所述第二层的面朝所述第一层的顶部表面的反射。第一层位于入射辐射的光学路径中相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。
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公开(公告)号：CN101779524B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200880102398.2
申请日：2008-08-05
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： H05G2/00
CPC分类号： H05H1/24 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , H05G2/003
摘要： 一种光刻系统包括：被配置以产生辐射的源，该源包括阴极和阳极，阴极和阳极被配置以在位于放电空间中的燃料中产生放电，以便产生等离子体，所述放电空间包括在使用中被配置以调整等离子体的辐射发射的物质，以便控制等离子体限定的体积；图案支撑件，其被配置以保持图案形成装置，该图案形成装置被配置以使辐射形成图案，以形成图案化的辐射束；衬底支撑件，其被配置以支撑衬底；以及投影系统，其被配置以将图案化的辐射束投影到衬底上。
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公开(公告)号：CN102144192A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200980134829.8
申请日：2009-04-30
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G03F7/70916 , G03F7/70175 , G03F7/70858 , G03F7/70983 , H05G2/003 , H05G2/005
摘要： 一种辐射系统，配置成产生辐射束。所述辐射系统包括：辐射源(50)，配置成产生发射辐射和碎片的等离子体；辐射收集器(70)，配置成引导所收集的辐射至辐射束发射孔(60)。磁场产生装置(200)配置成产生具有磁场强度梯度的磁场，以将等离子体引导离开辐射收集器(70)。
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公开(公告)号：CN101438631B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200780016104.X
申请日：2007-04-27
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： H05G2/003 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , H05G2/005
摘要： 本发明公开了一种通过电操作放电产生辐射的设备，所述设备具有第一电极(喷嘴21a产生)、第二电极和电容器组(24)。该电极被彼此间隔一定距离配置以便允许等离子体激发。该电容器组的第一终端(A)电连接到该第一电极而第二终端(B)电连接到该第二电极，并被配置成存储放电能量。该电极和电容器组组成电路。至少该第一电极通过经由第一馈送管线(45)提供的电传导流体形成。该设备还具有充电器(51)和第一高电感单元(50)。该充电器连接到所述终端中的至少一个。该第一高电感单元被设置在该第一馈送管线中的该第一终端上游以电解耦该电路。
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公开(公告)号：CN101606104A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200880004740.5
申请日：2008-02-14
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70916 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70858 , G03F7/70883 , G03F7/70983
摘要： 一种用于形成电磁辐射束的设备包括等离子体辐射源(24)和翼片阱(25)，该翼片阱设置有基本上平行于等离子体源(20)的辐射的方向延伸的多个薄翼片(20)。在等离子体辐射源(20)和翼片阱(24)之间设置格栅(22)。在格栅(22)和翼片阱(24)之间设置空间。该设备还包括电势应用电路(28)，其构造并布置成施加电势到格栅(22)上，使得格栅(22)排斥由等离子体辐射源(22)发射的电子并在格栅(20)和翼片阱(24)之间产生正的空间电荷，以使由等离子体辐射源(20)发射的离子偏转到翼片阱(24)。
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公开(公告)号：CN101584255A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200780046330.2
申请日：2007-12-13
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： M·M·J·W·范赫彭 , V·Y·班尼恩 , V·V·伊凡诺夫 , K·N·科什烈夫 , D·J·W·科伦德尔
CPC分类号： H05G2/003 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , H05G2/005
摘要： 本发明涉及一种用于产生电磁辐射的辐射系统。所述辐射系统包括构造并配置成产生第一物质的等离子体和等离子体内的箍缩(10)的一对电极(5)。辐射系统还包括配置接近所述箍缩并构造成中和多个等离子体颗粒的等离子体复合表面(13)。
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公开(公告)号：CN114035254B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202111335991.5
申请日：2015-07-02
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要： 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于1017cm‑3的掺杂剂浓度而掺杂；及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层，其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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公开(公告)号：CN114286965A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202080059811.2
申请日：2020-08-20
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： A·尼基帕罗夫 , S·伯恩特松 , V·Y·班尼恩 , A·多尔戈夫 , 因奇·唐梅兹诺扬 , Z·S·豪厄林 , A·W·诺藤布姆 , M·A·范德柯克霍夫 , T·W·范德伍德 , 保罗·亚历山大·维梅伦 , D·F·弗莱斯 , V·沃罗尼纳 , 哈利勒·戈凯·叶根
摘要： 提供了一种用于光刻设备的防护膜隔膜，所述隔膜包括未被覆盖的碳纳米管。还提供一种再生防护膜隔膜的方法，所述方法包括分解前体化合物，并且将至少一些分解产物沉积到防护膜隔膜上。还提供一种降低防护膜隔膜的蚀刻速率的方法，所述方法包括在防护膜隔膜的区域中提供电场以将来自防护膜的离子重新导向，或提供加热元件以将来自防护膜的自由基脱附，优选地，其中，防护膜隔膜为碳纳米管式防护膜隔膜；以及还提供一种用于光刻设备的组件，所述组件包括邻近防护膜隔膜的偏压电极或者包括防护膜隔膜或者用于防护膜隔膜的加热装置。
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公开(公告)号：CN110501769A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910757335.0
申请日：2015-07-02
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要： 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于1017cm-3的掺杂剂浓度而掺杂；及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层，其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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