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发明授权
CN101577292B 绝缘体上硅器件及其制造方法 失效 - 权利终止

绝缘体上硅器件及其制造方法
摘要：
本发明公开了一种绝缘体上硅(SOI)器件及其制造方法。该器件包括由硅基板、埋入氧化物层、及硅层的堆叠结构构成的SOI基板。在该硅层中界定凹槽，使埋入氧化物层暴露。阻挡层形成于各凹槽的侧壁下部。外延硅层形成以填充该凹槽，并且覆盖该阻挡层。数个栅极形成于该外延硅层上，结区形成于该栅极两侧的硅层中。在本发明中，SOI器件的电荷存储容量改善，导致改善感测容限。
摘要（英）：

An SOI device includes an SOI substrate composed of a stack structure of a silicon substrate, a buried oxide layer, and a silicon layer. Grooves are defined in the silicon layer each exposing the buried oxide layer. A barrier layer is formed on the lower portion of the sidewall of each of the grooves. An epi-silicon layer is formed to fill the grooves and cover the barrier layer. Gates are formedon the epi-silicon layer, and junction areas are formed in the silicon layer on both sides of the gates.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
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