电子器件及其制造方法

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专利标题： 电子器件及其制造方法
专利标题（英）： Electronic device and method of making the same
申请号： CN200880003380.7

申请日： 2008-01-29
公开(公告)号： CN101595566A

公开(公告)日： 2009-12-02
发明人: T·I·卡明斯
申请人： 惠普开发有限公司
申请人地址： 美国德克萨斯州
专利权人： 惠普开发有限公司
当前专利权人： 惠普开发有限公司
当前专利权人地址： 美国德克萨斯州
代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
代理商 张雪梅; 李家麟
优先权： 11/668,136 2007.01.29 US
国际申请： PCT/US2008/001156 2008.01.29
国际公布： WO2008/094544 EN 2008.08.07
进入国家日期： 2009-07-29
主分类号： H01L29/78
IPC分类号： H01L29/78 ; B82B3/00 ; B82B1/00 ; H01L21/336

摘要：

一种电子器件(10、10’、10”、10”’、100、100’、100”、1000)包括第一导电类型的主纳米线(18)，以及从主纳米线(18)向外延伸的第二导电类型的次纳米线(24)。第二导电类型的掺杂区(26)从次纳米线(24)延伸到主纳米线(18)的至少一部分中。

摘要（英）：

An electronic device (10, 10', 10'', 10''', 100, 100', 100'', 100''', 1000) includes a primary nanowire (18) of a first conductivity type, and a secondary nanowire (24) of a second conductivity type extending outwardly from the primary nanowire. A doped region (26) of the second conductivity type extends from the secondary nanowire (24) into at least a portion of the primary nanowire (18).

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的