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公开(公告)号：CN101765764B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200880100629.6
申请日：2008-07-16
申请人： 惠普开发有限公司
IPC分类号： G01N21/27
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/382
摘要： 本发明的各个实施例涉及表面等离体子增强型电磁辐射发射器件并且涉及制造这些器件的方法。在本发明的一个实施例中，一种电磁辐射发射器件(100)包括多层核(106)、金属器件层(108)以及衬底(104)。多层核(106)具有内层(110)和外层(112)，其中该外层被配置为围绕该内层的至少一部分。金属器件层(108)被配置成围绕该外层的至少一部分。衬底(104)具有与内层(110)电通信的底部传导层(118)以及与金属器件层(108)电通信的顶部传导层(122)以使得当在底部传导层和顶部传导层之间施加适当的电压时所暴露的部分发射表面等离体子增强的电磁辐射。
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公开(公告)号：CN101636818B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200880008899.4
申请日：2008-01-16
申请人： 惠普开发有限公司
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L29/045 , A01H5/10 , B81C1/00095 , B82Y10/00 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02521 , H01L21/02603 , H01L21/02609 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02647 , H01L21/02653 , H01L21/28525 , H01L21/76838 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L2221/1094 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 形成隔离电极的方法(100)和在隔离电极之间集成(600)纳米线，每一个都采用在半导体层(210)上横向外延过生长半导体材料以形成具有相同的晶体取向的隔离电极(260，270)。方法(100，600)包括通过在半导体层上的绝缘膜(240)中的窗口(242)来选择性外延生长(140)半导体特征(250)。垂直干(252)通过窗口与半导体层接触，突出部分(254)是垂直干在绝缘膜上的横向外延过生长。该方法还包括从半导体特征和半导体层形成(160)一对隔离电极(260，270)。基于纳米线的器件(800)包括该对隔离电极和在该对隔离电极的相应表面之间桥接的纳米线(280)。
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公开(公告)号：CN101636818A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200880008899.4
申请日：2008-01-16
申请人： 惠普开发有限公司
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L29/045 , A01H5/10 , B81C1/00095 , B82Y10/00 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02521 , H01L21/02603 , H01L21/02609 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02647 , H01L21/02653 , H01L21/28525 , H01L21/76838 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L2221/1094 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 形成隔离电极的方法(100)和在隔离电极之间集成(600)纳米线，每一个都采用在半导体层(210)上横向外延过生长半导体材料以形成具有相同的晶体取向的隔离电极(260，270)。方法(100，600)包括通过在半导体层上的绝缘膜(240)中的窗口(242)来选择性外延生长(140)半导体特征(250)。垂直干(252)通过窗口与半导体层接触，突出部分(254)是垂直干在绝缘膜上的横向外延过生长。该方法还包括从半导体特征和半导体层形成(160)一对隔离电极(260，270)。基于纳米线的器件(800)包括该对隔离电极和在该对隔离电极的相应表面之间桥接的纳米线(280)。
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公开(公告)号：CN101449378B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200780018686.5
申请日：2007-05-22
申请人： 惠普开发有限公司
CPC分类号： H01L27/0688 , H01L21/8221 , H01L2924/00011 , H01L2924/0002 , H01L2924/00012 , H01L2224/80001
摘要： 一种集成电路的一个实施例包括在多于一个有源层中的有源组件。在一个有源层(22，304，360)中的第一导体(26，310，366)用来产生静电场，控制在相邻有源层(30，320)中的第一有源元件。
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公开(公告)号：CN101595554A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200880002536.X
申请日：2008-01-16
申请人： 惠普开发有限公司
发明人： T·I·卡明斯
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L24/82 , H01L2221/1094 , H01L2924/14 , Y10S977/89 , Y10S977/892 , H01L2924/00
摘要： 在形成至少一个贯穿衬底的互连的方法的一个实施例中，提供具有第一表面(202)和相对的第二表面(204)的半导体衬底(200)。在半导体衬底中形成至少一个开口(210)，从第一表面延伸到半导体衬底内的中间深度。该至少一个开口由底部(216)部分地限定。在底部上提供至少一个金属催化剂纳米颗粒(220)。在金属催化剂纳米颗粒促进半导体材料(222)的沉积的情况下，在该至少一个开口内沉积导电材料。可以从第二表面去除半导体衬底的材料，以露出填充该至少一个开口的导电材料的一部分(图3K)。在另一实施例中，不使用纳米颗粒，而是选择导电材料来选择性地沉积在部分地限定该至少一个开口的底部上。
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公开(公告)号：CN101617574B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200880002010.1
申请日：2008-01-10
申请人： 惠普开发有限公司
IPC分类号： H05K3/46
CPC分类号： H01L31/02002 , G02B6/43 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 多层器件(100，200，300，400，500)，其包括电子器件层(104，204，304，404，504)、与该电子层(104，204，304，404，504)相关联的第一电极(110，210，410，510)、光学层(108，208，308，408，508)、与光学层(108，208，308，408，508)相关联的第二电极(112，212，412，512)和位于第一和第二电极之间的绝缘层(106，206，306，406，506)。该第一和第二电极相互电容耦合，从而通过第一和第二电极之间传输电信号而促进电子器件层(104，204，304，404，504)和光学层(108，208，308，408，508)之间的电通信。该电信号可以穿过绝缘层(106，206，306，406，506)而传输。此外，通过第一电极(110，210，410，510)和第二电极(112，212，412，512)的电容耦合，电子器件层(104，204，304，404，504)与光学层(108，208，308，408，508)之间可以互相进行电通信。
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公开(公告)号：CN101449378A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200780018686.5
申请日：2007-05-22
申请人： 惠普开发有限公司
CPC分类号： H01L27/0688 , H01L21/8221 , H01L2924/00011 , H01L2924/0002 , H01L2924/00012 , H01L2224/80001
摘要： 一种集成电路的一个实施例包括在多于一个有源层中的有源组件。在一个有源层(22，304，360)中的第一导体(26，310，366)用来产生静电场，控制在相邻有源层(30，320)中的第一有源元件。
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公开(公告)号：CN101765764A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200880100629.6
申请日：2008-07-16
申请人： 惠普开发有限公司
IPC分类号： G01N21/27
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/382
摘要： 本发明的各个实施例涉及表面等离体子增强型电磁辐射发射器件并且涉及制造这些器件的方法。在本发明的一个实施例中，一种电磁辐射发射器件(100)包括多层核(106)、金属器件层(108)以及衬底(104)。多层核(106)具有内层(110)和外层(112)，其中该外层被配置为围绕该内层的至少一部分。金属器件层(108)被配置成围绕该外层的至少一部分。衬底(104)具有与内层(110)电通信的底部传导层(118)以及与金属器件层(108)电通信的顶部传导层(122)以使得当在底部传导层和顶部传导层之间施加适当的电压时所暴露的部分发射表面等离体子增强的电磁辐射。
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公开(公告)号：CN101617574A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200880002010.1
申请日：2008-01-10
申请人： 惠普开发有限公司
IPC分类号： H05K3/46
CPC分类号： H01L31/02002 , G02B6/43 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 多层器件(100，200，300，400，500)，其包括电子器件层(104，204，304，404，504)、与该电子层(104，204，304，404，504)相关联的第一电极(110，210，410，510)、光学层(108，208，308，408，508)、与光学层(108，208，308，408，508)相关联的第二电极(112，212，412，512)和位于第一和第二电极之间的绝缘层(106，206，306，406，506)。该第一和第二电极相互电容耦合，从而通过第一和第二电极之间传输电信号而促进电子器件层(104，204，304，404，504)和光学层(108，208，308，408，508)之间的电通信。该电信号可以穿过绝缘层(106，206，306，406，506)而传输。此外，通过第一电极(110，210，410，510)和第二电极(112，212，412，512)的电容耦合，电子器件层(104，204，304，404，504)与光学层(108，208，308，408，508)之间可以互相进行电通信。
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