发明授权
- 专利标题: 键合两个衬底的方法
- 专利标题(英): Method of bonding two substrates
-
申请号: CN200780051154.1申请日: 2007-11-23
-
公开(公告)号: CN101601123B公开(公告)日: 2010-12-22
- 发明人: 塞巴斯蒂安·凯尔迪勒 , 维利·米歇尔 , 沃尔特·施瓦岑贝格 , 达尼埃尔·德尔普拉 , 纳迪娅·本默罕默德
- 申请人: 硅绝缘体技术有限公司
- 申请人地址: 法国伯涅尼
- 专利权人: 硅绝缘体技术有限公司
- 当前专利权人: 索泰克公司
- 当前专利权人地址: 法国伯涅尼
- 代理机构: 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 李辉
- 优先权: 0753318 2007.02.16 FR
- 国际申请: PCT/EP2007/062750 2007.11.23
- 国际公布: WO2008/107029 FR 2008.09.12
- 进入国家日期: 2009-08-10
- 主分类号: H01L21/20
- IPC分类号: H01L21/20
摘要:
本发明提供了一种将两个衬底键合在一起的方法,在键合期间所述衬底的表面彼此接触,该方法包括至少一个清洁步骤,该清洁步骤在使得要键合的两个衬底或者其中一个衬底的表面彼此接触之前清洁所述表面,其特征在于,以使得所清洁的各个表面未被显著地粗糙化的方式执行所述清洁步骤,并且其中,在所述键合之前还对所述要键合的至少一个衬底进行加热,所述加热是在这些衬底的表面彼此接触之前开始的,并且所述加热至少持续到这些表面已经彼此接触为止。本发明还涉及一种形成包括半导体材料薄层的结构的方法,该半导体材料薄层是从供体衬底被转移到第二衬底的,该方法包括以下步骤:将两种原子物质共同注入到所述供体衬底中,以生成限定了要转移的薄层的削弱区域;将这些衬底键合在一起,该方法的特征在于,以使得所述两种原子物质的峰值在所述供体衬底的厚度中具有小于的偏移的方式,注入所述两种原子物质;并且其中,根据前述方法执行所述键合。
公开/授权文献
- CN101601123A 键合两个衬底的方法 公开/授权日:2009-12-09
IPC分类: