公开(公告)号：CN101138071B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200680007529.X

申请日：2006-04-18

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 塞巴斯蒂安·凯尔迪勒

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L21/762 ,  H01L21/306 ,  C30B33/06

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/263

摘要： 本发明涉及一种将由从半导体材料中选择的材料制成的两片晶片键合在一起的方法，所述方法对要键合在一起的所述两片晶片中的至少一片晶片的表面进行等离子体激活，并且该方法包括以下步骤：在等离子体激活过程中控制激活参数以改变包含在等离子体中的物质的动能，从而在表面被激活的所述晶片的表面区的厚度中产生厚度受控的扰动区。

公开(公告)号：CN101317258B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200680044312.6

申请日：2006-11-20

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 塞巴斯蒂安·凯尔迪勒 ,  卡里纳·杜雷特 ,  亚历山大·沃夫雷德兹

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： C03C27/00 ,  C03C27/02 ,  C03C27/046 ,  C03C2204/08 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2924/1461 ,  Y10T156/10 ,  Y10T156/17 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明在第一方面涉及通过分子黏附使两个基片彼此键合的方法，其中，将所述基片的表面紧密接触放置，通过所述基片之间的键合前沿的扩展而发生键合，其特征在于，所述方法包括下述步骤：在键合之前，改变一个和/或另一个所述基片的表面状态，以调节所述键合前沿的扩展速度。通过局部地或均匀地加热一个和/或另一个待键合基片的表面，或者进一步通过使一个和/或另一个基片的表面粗糙化而改变表面状态。

公开(公告)号：CN101419911A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200810166769.5

申请日：2008-10-27

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 迪迪埃·朗德吕 ,  塞巴斯蒂安·凯尔迪勒

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/2007 ,  H01L21/76254

摘要： 本发明涉及具有精细隐埋绝缘层的SOI衬底。本发明提供了一种制造具有精细隐埋的厚度为2nm～25nm的绝缘层的半导体结构(6)或(6’)或(6”)的方法，其包括以下步骤：在第一衬底(1)的表面(3’)和/或第二衬底(2)的表面(4’)上形成绝缘层(3)和(4)中的至少一层，所述表面(3’)和(4’)上没有绝缘体或者具有所述衬底暴露于环境之中时所形成的本征氧化层；将所述第一衬底(1)和第二衬底(2)组装在一起；将所述第一衬底(1)减薄以获得所述半导体结构，所述绝缘层形成步骤包括基于氧化性气体和/或氮化性气体的等离子体活化。

公开(公告)号：CN102301464B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201080006003.6

申请日：2010-03-17

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 沃尔特·施瓦岑贝格 ,  塞巴斯蒂安·凯尔迪勒 ,  帕特里克·雷诺 ,  卢多维克·埃卡尔诺 ,  埃里克·内雷

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31662

摘要： 本发明涉及一种用于绝缘体上硅SOI型的基板(1)的修整方法，所述基板包括在有源硅层(4)和硅支撑层(2)之间埋入的氧化层(3)，该方法包括应用修整步骤，所述修整步骤的连续步骤是：a)对所述基板(1)进行快速热退火RTA，b)对有源硅层(4)进行牺牲氧化的步骤，c)对步骤b)后获得的所述基板(1′)进行快速热退火RTA，d)对经历步骤c)的所述基板(1′)的所述有源层进行牺牲氧化的步骤，该方法的特征在于，进行牺牲氧化的步骤b)去除第一氧化物厚度(5)，并且进行牺牲氧化的步骤d)去除比所述第一氧化物厚度更薄的第二氧化物厚度。

公开(公告)号：CN101681872B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200880018521.2

申请日：2008-07-21

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 弗雷德里克·阿利伯特 ,  塞巴斯蒂安·凯尔迪勒

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645

摘要： 本发明涉及绝缘体上半导体型结构的制造方法，所述结构包括供体衬底(10)的半导体层(11)、绝缘体层(60)和受体衬底(20)，所述方法包括将供体衬底(10)键合在受体衬底(20)上，这些衬底中的至少一个被覆有绝缘体层，其特征在于，该方法包括在键合界面形成所谓的俘获界面(30)，所述俘获界面(30)包含适于保持电荷载流子的电活性陷阱。本发明还涉及绝缘体上半导体型结构，所述结构包含俘获界面。

公开(公告)号：CN101419911B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200810166769.5

申请日：2008-10-27

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 迪迪埃·朗德吕 ,  塞巴斯蒂安·凯尔迪勒

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/2007 ,  H01L21/76254

摘要： 本发明涉及具有精细隐埋绝缘层的SOI衬底。本发明提供了一种制造具有精细隐埋的厚度为2nm～25nm的绝缘层的半导体结构(6)或(6’)或(6”)的方法，其包括以下步骤：在第一衬底(1)的表面(3’)和/或第二衬底(2)的表面(4’)上形成绝缘层(3)和(4)中的至少一层，所述表面(3’)和(4’)上没有绝缘体或者具有所述衬底暴露于环境之中时所形成的本征氧化层；将所述第一衬底(1)和第二衬底(2)组装在一起；将所述第一衬底(1)减薄以获得所述半导体结构，所述绝缘层形成步骤包括基于氧化性气体和/或氮化性气体的等离子体活化。

公开(公告)号：CN101866824A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200910246888.6

申请日：2009-12-16

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 阿齐兹·哈拉米-艾蒂里斯 ,  塞巴斯蒂安·凯尔迪勒 ,  沃尔特·施瓦岑贝格

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/02032 ,  H01L21/76254

摘要： 本发明涉及用于再生衬底的表面的方法，其中该表面，特别为硅表面，包括突出残留形貌，该突出残留形貌包括至少一层的第一材料。通过在衬底的表面的非突起区域中设置填充材料并且随后进行抛光，能够实施所述再生，使得在现有技术中所用的消耗材料的双面抛光步骤不再是必需的。

公开(公告)号：CN101866824B

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN200910246888.6

申请日：2009-12-16

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 阿齐兹·哈拉米-艾蒂里斯 ,  塞巴斯蒂安·凯尔迪勒 ,  沃尔特·施瓦岑贝格

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/02032 ,  H01L21/76254

摘要： 本发明涉及用于再生衬底的表面的方法，其中该表面，特别为硅表面，包括突出残留形貌，该突出残留形貌包括至少一层的第一材料。通过在衬底的表面的非突起区域中设置填充材料并且随后进行抛光，能够实施所述再生，使得在现有技术中所用的消耗材料的双面抛光步骤不再是必需的。

公开(公告)号：CN102136413B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201010585290.2

申请日：2010-12-10

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 沃尔特·施瓦岑贝格 ,  阿齐兹·哈拉米-艾蒂里斯 ,  亚历山大·切布克 ,  塞巴斯蒂安·凯尔迪勒

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/02032 ,  H01L21/76254

摘要： 本发明涉及一种倒角基板布线方法。该方法重要是包括以下步骤，这些步骤包括：借助于等离子体在所述基板(4)的外周环形区(400)上淀积一层保护材料(6)；借助于等离子体部分地蚀刻所述保护材料(6)，以便在待布线的所述基板(4)的正面(41)上保留保护材料环(60)，该环(60)距所述基板的边缘(43)一定距离延伸，并由此界定可到达的外周环形区(400’)；借助于在所述可到达的外周环形区(400’)上的等离子体对构成待布线的所述基板(4)的材料蚀刻一定厚度；借助于等离子体移除所述保护材料环(60)。本发明还涉及在电子学、光学或者光电子学领域中的应用。

公开(公告)号：CN101601123B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200780051154.1

申请日：2007-11-23

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 塞巴斯蒂安·凯尔迪勒 ,  维利·米歇尔 ,  沃尔特·施瓦岑贝格 ,  达尼埃尔·德尔普拉 ,  纳迪娅·本默罕默德

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/2007 ,  H01L21/02052

摘要： 本发明提供了一种将两个衬底键合在一起的方法，在键合期间所述衬底的表面彼此接触，该方法包括至少一个清洁步骤，该清洁步骤在使得要键合的两个衬底或者其中一个衬底的表面彼此接触之前清洁所述表面，其特征在于，以使得所清洁的各个表面未被显著地粗糙化的方式执行所述清洁步骤，并且其中，在所述键合之前还对所述要键合的至少一个衬底进行加热，所述加热是在这些衬底的表面彼此接触之前开始的，并且所述加热至少持续到这些表面已经彼此接触为止。本发明还涉及一种形成包括半导体材料薄层的结构的方法，该半导体材料薄层是从供体衬底被转移到第二衬底的，该方法包括以下步骤：将两种原子物质共同注入到所述供体衬底中，以生成限定了要转移的薄层的削弱区域；将这些衬底键合在一起，该方法的特征在于，以使得所述两种原子物质的峰值在所述供体衬底的厚度中具有小于的偏移的方式，注入所述两种原子物质；并且其中，根据前述方法执行所述键合。