公开(公告)号：CN105428285A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201610052078.7

申请日：2011-06-21

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： M·波卡特 ,  约努茨·拉杜

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L25/50 ,  B32B38/1858 ,  B32B2309/64 ,  B32B2309/65 ,  B32B2309/68 ,  H01L21/67092 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种用于制造半导体器件的装置，该装置包括：键合模块(1)，其包括真空室，以在低于大气压力的压力下提供晶片键合；和装载锁定模块(2)，其连接至键合模块(1)并配置为向键合模块(1)传送晶片，并且连接至被配置为将装载锁定模块(2)中的压力降到大气压力以下的第一真空泵装置(5)。

公开(公告)号：CN102437073B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201110414307.2

申请日：2011-06-21

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： M·波卡特 ,  约努茨·拉杜

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L25/50 ,  B32B38/1858 ,  B32B2309/64 ,  B32B2309/65 ,  B32B2309/68 ,  H01L21/67092 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种用于制造半导体器件的装置，该装置包括：键合模块(1)，其包括真空室，以在低于大气压力的压力下提供晶片键合；和装载锁定模块(2)，其连接至键合模块(1)并配置为向键合模块(1)传送晶片，并且连接至被配置为将装载锁定模块(2)中的压力降到大气压力以下的第一真空泵装置(5)。

公开(公告)号：CN102339768B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201110197168.2

申请日：2011-07-14

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 玛丽亚姆·萨达卡 ,  约努茨·拉杜

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

摘要： 本发明涉及形成键合半导体结构的方法及该方法形成的半导体结构。形成键合半导体结构的方法包括以下步骤：将半导体结构临时地直接键合在一起；使这些半导体结构中的至少一个变薄；以及随后将变薄的半导体结构永久地键合到另一个半导体结构。在不使用粘合剂的情况下，可以建立临时的直接键合。根据这样的方法制造键合半导体结构。

公开(公告)号：CN102439695B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201080006938.4

申请日：2010-01-11

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 法布里斯·勒泰特 ,  布鲁斯·富尔 ,  帕斯卡·昆纳德

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  C30B29/38 ,  C30B33/02 ,  C30B33/06 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02664 ,  C30B29/403 ,  C30B33/02 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76254

摘要： 本发明涉及形成至少部分地松弛的应变材料层的方法，所述方法包括以下步骤：提供晶种基板；对所述晶种基板进行图案化；在经图案化的所述晶种基板上生长应变材料层；将所述应变材料层由经图案化的所述晶种基板转移到中间基板上；和通过热处理来至少部分地松弛所述应变材料层。

公开(公告)号：CN102237371B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201110099463.4

申请日：2011-04-20

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 卡洛斯·马祖拉 ,  理查德·费朗 ,  比什-因·阮

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L21/823462 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0705 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/7881

摘要： 本发明涉及一种包含绝缘体上硅结构体中的场效应晶体管的半导体器件，所述半导体器件包含绝缘体上半导体SeOI结构体，所述结构体含有基片、所述基片上的氧化物层和所述氧化物层上的半导体层；所述半导体器件还包含场效应晶体管FET，其中所述FET包含所述基片中的通道区；作为所述SeOI结构体的所述氧化物层的至少一部分的电介质；和至少部分地作为所述SeOI结构体的半导体层的第一部分的栅。

公开(公告)号：CN102301464B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201080006003.6

申请日：2010-03-17

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 沃尔特·施瓦岑贝格 ,  塞巴斯蒂安·凯尔迪勒 ,  帕特里克·雷诺 ,  卢多维克·埃卡尔诺 ,  埃里克·内雷

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31662

摘要： 本发明涉及一种用于绝缘体上硅SOI型的基板(1)的修整方法，所述基板包括在有源硅层(4)和硅支撑层(2)之间埋入的氧化层(3)，该方法包括应用修整步骤，所述修整步骤的连续步骤是：a)对所述基板(1)进行快速热退火RTA，b)对有源硅层(4)进行牺牲氧化的步骤，c)对步骤b)后获得的所述基板(1′)进行快速热退火RTA，d)对经历步骤c)的所述基板(1′)的所述有源层进行牺牲氧化的步骤，该方法的特征在于，进行牺牲氧化的步骤b)去除第一氧化物厚度(5)，并且进行牺牲氧化的步骤d)去除比所述第一氧化物厚度更薄的第二氧化物厚度。

公开(公告)号：CN102113090B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN200980130447.8

申请日：2009-07-02

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 法布里斯·勒泰特 ,  布鲁斯·富尔 ,  帕斯卡·昆纳德 ,  迈克·卡梅斯 ,  尼尔逊·麦克劳林 ,  纳特·加的纳

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18 ,  H01L21/58 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L21/6835 ,  H01L31/1848 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/025 ,  H01L2221/68359 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及在目标基板上形成至少部分地松弛的应变材料的方法，该方法包括相继执行的以下步骤：在中间基板上从应变材料层形成岛；通过第一热处理来至少部分地松弛所述应变材料岛；以及，将所述至少部分地松弛的应变材料岛转移到所述目标基板。

公开(公告)号：CN103123895A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201310012880.X

申请日：2009-08-06

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 法布里斯·勒泰特 ,  卡洛斯·马祖拉 ,  迈克尔·R·卡梅斯 ,  梅尔文·B·麦克劳林 ,  内森·F·加的纳

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/2007 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/3245 ,  H01L33/0095

摘要： 应变层的松弛。本发明涉及一种用于松弛应变材料层的方法，该方法包括以下步骤：在籽晶衬底上生长所述应变材料层；在所述应变材料层的一面上沉积第一低粘度层；通过所述第一低粘度层将所述应变材料层粘合到第一衬底，并且将所述应变材料层从所述籽晶衬底分离；在所述应变材料层的另一面上沉积第二低粘度层；在热处理步骤之前将第二衬底粘合到所述第二低粘度层，以形成夹层结构；使所述夹层结构经受热处理，使得造成所述第一低粘度层和所述第二低粘度层的回流，由此至少部分地松弛所述应变材料层。

公开(公告)号：CN101868853B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200880116791.7

申请日：2008-11-12

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 迈克尔·艾伯特·蒂施勒 ,  罗纳德·托马斯·小伯特伦

IPC分类号： H01L21/677 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/67748 ,  H01L21/6838

摘要： 本发明提供了允许在高温下在气相外延生长室中加载和卸载晶片的设备、协议和方法。具体而言，本发明提供了一种用于移动晶片或者衬底的装置，该装置能够将正被移动的衬底浸浴在活性气体中，任选地对该活性气体的温度进行控制。活性气体可用于限制或者防止晶片表面发生升华或分解，并且可对活性气体进行温度控制，以限制或者防止热损坏。因此，可以减小或者消除生长室之前必要的温度升降，从而提高晶片生产量和系统效率。

公开(公告)号：CN101558487B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200880001114.0

申请日：2008-01-16

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 帕特里克·雷诺 ,  奥列格·科农丘克 ,  米夏埃尔·司廷科

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/31662 ,  H01L21/02032 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/76254 ,  Y10T428/8305

摘要： 本发明涉及一种制造复合材料晶片的方法，具体地说是制造绝缘体上硅型的晶片的方法，所述方法包括以下步骤：提供初始施主衬底，在所述初始施主衬底上形成绝缘层，在所述初始施主衬底中形成预定分裂区，将所述初始施主衬底粘接到操作衬底上，以及在所述预定分裂区剥离所述施主衬底，由此将所述初始施主衬底的一层转移到所述操作衬底上，以形成复合材料晶片。为了能够更多次再使用施主衬底，本发明提出在低于950℃，具体地说是低于900℃，优选是在850℃或更低的温度下执行热处理步骤以形成绝缘层。