发明公开
CN101635264A 制造半导体模块的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 制造半导体模块的方法
- 专利标题(英): Method of producing semiconductor module
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申请号: CN200910168033.6申请日: 2007-12-27
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公开(公告)号: CN101635264A公开(公告)日: 2010-01-27
- 发明人: 都筑幸司 , 铃木隆典
- 申请人: 佳能株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 佳能株式会社
- 当前专利权人: 佳能株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 屠长存
- 优先权: 2006-351926 2006.12.27 JP
- 分案原申请号: 2007103055858
- 主分类号: H01L21/50
- IPC分类号: H01L21/50 ; H01L21/48 ; H01L21/56
摘要:
一种制造半导体模块的方法,该半导体模块包括用封装树脂密封的半导体芯片,其中通过在阻焊剂图案的外边缘的外部从布线图案开始沿着阻焊剂图案的外边缘延伸的布线图案延伸部分,防止封装树脂从该外边缘的内部溢出。该方法包括:制备半导体芯片;制备具有连接部分、连接到连接部分的布线图案和阻焊剂的基板,其中布线图案的布线图案延伸部分延伸以与布线图案的一部分交叉,布线图案具有连接部分一侧的第一边缘和与连接部分一侧相反一侧的第二边缘,阻焊剂设置在连接部分的周边以覆盖布线图案,使得阻焊剂的外边缘在第二边缘一侧沿着布线图案延伸部分设置;在基板的阻焊剂的内部部分上安装半导体芯片;施加封装树脂以覆盖半导体芯片。
公开/授权文献
- CN101635264B 制造半导体模块的方法 公开/授权日:2011-06-22
IPC分类: