一种水热法生长硅酸铋单晶体的方法
摘要:
本发明涉及一种水热法生长硅酸铋(Bi12SiO20,简称BSO)晶体的方法。其特点是采用氟化物矿化剂体系进行晶体生长。采用BSO原料作培养料,置于黄金衬套管底部,在黄金衬套管的中下部放置一个开孔率为7%~10%的黄金挡板,将下部的培养料溶解区和上部的晶体生长区隔开;在黄金衬套管的顶部悬挂籽晶或金丝,按65~75%的填充度,向黄金衬套管中加入氟离子浓度为0.3~6mol/L的氟化物溶液,将黄金衬套管密封,放入高压釜中,在黄金衬套管和高压釜的夹层加入一定量去离子水或蒸馏水,密封,加热,使溶解区平均温度为365~420℃,生长区平均温度为335~385℃,经过10~90天恒温生长,得到BSO单晶体。
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