-
公开(公告)号:CN118822771A
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202410881496.1
申请日:2024-07-02
申请人: 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 , 中国地质大学(武汉)
摘要: 本发明公开了一种基于多元三维信息融合与智能成矿预测技术的找矿方法及系统,应用于成矿预测技术领域。本发明包括:通过无人机航空遥感、卫星遥感、地面地质调查、地球物理、地球化学、钻探的多种方式获取矿产地的多元三维信息数据,并对多元三维信息数据进行预处理;通过数据融合算法将预处理后的多元三维信息数据融合处理,并将融合后的多元三维信息数据分为训练集和测试集;基于机器学习算法建立成矿预测模型,并将训练集和测试集输入至成矿预测模型来实现模型的训练与测试;将待预测区域数据输入至成矿预测模型实现智能成矿预测。本发明能够更全面地了解矿产地的地质特征和成矿规律,有助于提高成矿预测的准确性和综合找矿能力。
-
公开(公告)号:CN116287831B
公开(公告)日:2024-09-13
申请号:CN202310293722.X
申请日:2023-03-24
申请人: 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
摘要: 本发明提供了一种铬锆钨复式碳化物强韧化聚晶立方氮化硼材料及其制备方法,属于超硬材料技术领域。本发明通过高温真空处理,去除原料残余杂质和水分,从而降低原料中的杂质和水分对聚晶立方氮化硼材料性能的影响;通过在制备聚晶立方氮化硼材料过程中添加碳热还原反应制备的Cr3C2‑ZrC‑WC复式碳化物粉末,压力烧结过程中可以有效改善粘结金属构成的粘结相与cBN微粉末构成的硬质相之间的润湿性,调节溶解析出过程,从而优化聚晶立方氮化硼材料的显微组织,使得材料内部各物质能够紧密结合,最终实现聚晶立方氮化硼材料的强度、硬度和韧性的同时提升。
-
公开(公告)号:CN118441350A
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN202410598086.6
申请日:2024-05-15
申请人: 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
摘要: 本发明属于晶体生长技术领域,具体涉及一种用于单晶金刚石生长的支架结构、一种单晶金刚石的生长方法。本发明提供的用于单晶金刚石生长的支架结构,包括圆柱形籽晶托、屏蔽罩和隔热环。本发明利用优化设计的衬底支架组装进行同质外延生长单晶金刚石,利用特殊设计的屏蔽罩有效避免了生长过程中外延层表面边缘区域因强电场而形成的局部热点,并且配合特殊设计的隔热环可以最大程度上调控生长过程中外延层表面边缘区域与中心区域的温度梯度,有效抑制了生长过程外延层表面多晶边框的形成。
-
公开(公告)号:CN118084504A
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202410299613.3
申请日:2024-03-15
申请人: 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
IPC分类号: C04B35/583 , C04B35/622
摘要: 本发明提供了一种氮化硼基复相陶瓷材料及其制备方法,涉及超硬材料合成技术领域。本发明提供的氮化硼基复相陶瓷材料的制备方法,包括以下步骤:将铝粉、钛硅化合物和氮化硼进行第一混合,得到混合干料;将所述混合干料和表面改性剂进行第二混合,依次经分散和干燥,得到混合粉体;将所述混合粉体依次进行热还原处理和热压烧结,得到所述氮化硼基复相陶瓷材料。本发明通过引入表面改性剂,提高混合干料的分散性且改善混合粉体的软团聚现象,有利于烧结过程中的均匀传质;将混合粉体先进行热还原处理,避免对后续热压烧结过程造成不利影响,再通过热压烧结原位生成热稳定性优异的氮化硼基复相陶瓷材料,且合成条件温和,能够广泛应用。
-
公开(公告)号:CN114768681B
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202210413219.9
申请日:2022-04-20
申请人: 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
IPC分类号: B01J3/06
摘要: 本发明公开一种用于超硬复合材料的传压装置,可塑性腔体内设有导电传热管,导电传热管的两管端均封堵有导电传热片,导电传热管内设有与其同轴的多孔盐柱,多孔盐柱的各个孔内填充有超硬复合材料,各导电传热片分别与多孔盐柱的端部之间填充有盐片,可塑性腔体的两端表面中心位置处均开设有供导电传热管进入的通孔,导电传热管与两通孔均同轴设置,通孔处均密封设有抵接在导电传热片上的导电传压结构,通过设置多孔盐柱,在各个孔内均放入超硬复合材料,以同时制备多组成品,有效提高了生产效率,而且通过设置多孔盐柱和盐片,在高温高压的环境下呈熔融状,保证了各个成品在制备的过程中受压均匀,提高了产品质量。
-
公开(公告)号:CN117686406A
公开(公告)日:2024-03-12
申请号:CN202410064593.1
申请日:2024-01-15
申请人: 西南交通大学 , 西华大学 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
摘要: 本发明公开了一种岩土浸水生成裂隙及岩石耐崩解的实验系统及方法,涉及岩土分析测试技术领域。本发明主要为了解决传统岩土浸水体裂隙观测误差较大、数据采集及统计非定量化、耐崩解测试人为干扰因素影响等问题,提出以下技术方案包括实验组件、多参数监测组件、供水组件以及出水组件;实验组件包括数据采集组件、升降组件、实验箱、设置在实验箱内部的加热件以及连接在升降组件底部的吊篮;数据采集组件与计算机通信连接,数据采集组件用于将多参数监测组件采集到的数据转换成数字信号,并传输给计算机进行处理和分析。产生有增益效果,本发明在做耐崩解实验时,实现了观测的全自动化,使实验过程简单、便捷,数据直接明了。
-
公开(公告)号:CN114002410B
公开(公告)日:2024-01-09
申请号:CN202111300161.9
申请日:2021-11-04
申请人: 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
摘要: 重稀土的成矿潜力,较现有的中重稀土靶区圈定本发明公开了一种基于地质体稀土配分快 方法节省了大量的探矿成本和人力的投入,具有速圈定风化壳型中重稀土找矿靶区的方法,属于 成本低、结果准确且效率高等特点。矿产资源勘探技术领域。本发明通过收集、分析地质体稀土元素含量、稀土元素的配分规律和主(56)对比文件康清清;张熊猫;孟华.小秦岭西段稀土矿特征及找矿远景浅析.西北地质.2020,(第01期),全文.刘新星;王登红;陈毓川;赵芝;黄凡.南岭东段离子吸附型稀土矿成矿预测研究.稀土.2019,(第02期),全文.张臻悦;何正艳;徐志高;余军霞;张越非;池汝安.中国稀土矿稀土配分特征.稀土.2016,(第01期),全文.李靖辉;陈化凯;张宏伟;张云海;张同林;温国栋;张盼盼.豫西太平镇轻稀土矿床矿化特征及矿床成因.中国地质.2017,(第02期),全文.王倩;胡宝群;邓声保;邱林飞;孙占学;李满根;吕古贤.邹家山铀矿床矿石中的重稀土富集特征.东华理工大学学报(自然科学版).2015,(第03期),全文.
-
公开(公告)号:CN117303912A
公开(公告)日:2023-12-29
申请号:CN202311344874.4
申请日:2023-10-18
申请人: 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
IPC分类号: C04B35/584 , C04B35/622 , F16J9/26
摘要: 本发明属于密封环加工技术领域,具体涉及一种氮化硅复合材料及其制备方法、一种密封环及其制备方法。本发明在氮化硅中加入氮化硼,可以显著地提高氮化硅复合材料的整体硬度与耐磨性;本发明在氮化硅中加入结合剂,可以起到增强结合效果,提升材料各项力学性能;本发明加入烧结助剂,可以在烧结过程中提供液相,从而加快烧结,提升烧结效果。本发明通过SPS等离子烧结或HPHT高温高压烧结,与传统的烧结工艺相比,提高烧结速率的同时,能够显著提升氮化硅复合材料的致密性和力学性能。
-
公开(公告)号:CN117245094A
公开(公告)日:2023-12-19
申请号:CN202311244177.1
申请日:2023-09-25
申请人: 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
摘要: 本发明公开了一种厚层超硬材料复合片的装填合成方法,涉及超硬材料复合片合成技术领域,包括以下步骤:(1)将超硬粉料和作为催化剂和粘结剂的粉料混合均匀得到混合粉料;(2)将混合粉料平铺装入金属杯中,然后在混合粉料表面覆盖硬质合金基体,在金属杯上加盖,得到预装复合片;(3)将预装复合片用金属箔片包裹,然后用传压粉料包裹后置于压实模具中压实;(4)脱模取出预装复合片,在真空环境下高温净化定型,得到净化定型复合片;(5)将净化定型复合片置于保温传压介质中,进行高温高压合成,得到厚层超硬材料复合片。本发明使得压实粉料时金属杯收缩均匀,能够实现厚层超硬材料复合片的合成,提高压实模具的使用寿命。
-
公开(公告)号:CN107815725B
公开(公告)日:2023-12-19
申请号:CN201711313437.0
申请日:2017-12-11
申请人: 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
IPC分类号: C30B7/10
摘要: 本发明公开了一种具有交变温场的水热结晶装置及使用该装置生长晶体的方法。所述的水热结晶装置包括水热高压釜和,其中,水热高压釜包括釜体,釜体的内腔分为三个部分,由下至上依次分别为第一原料溶解区、恒温生长区和第二原料溶解区;将水热高压釜置于三段式电阻炉中加热时,釜体内腔中各区域的温度均由三段式电阻炉进行控制,其中第一原料溶解区的温度和第二原料溶解区的温度存在一定温差,恒温生长区的温度介于第一原料溶解区的温度和第二原料溶解区的温度之间;设置两个原料溶解区温度转换的交变周期,当达到该交变周期所示时间时,相互调换两个原料溶解区的温度。采用本发明所述装置和方法可有效提高晶体的水热成核几率和生长速度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-