发明公开
CN101667536A 被处理体的蚀刻方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 被处理体的蚀刻方法
- 专利标题(英): Method for etching an object to be processed
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申请号: CN200910170537.1申请日: 2002-06-10
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公开(公告)号: CN101667536A公开(公告)日: 2010-03-10
- 发明人: 布濑晓志 , 藤本究 , 山口智代
- 申请人: 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳; 刘春成
- 优先权: 2001-264500 2001.08.31 JP; 2001-264501 2001.08.31 JP
- 分案原申请号: 028162927
- 主分类号: H01L21/027
- IPC分类号: H01L21/027 ; H01L21/3065 ; H01L21/311
摘要:
本发明提供一种处理体的蚀刻方法,包括:将包含SiC部分的被处理体收容到处理容器中的步骤;向处理容器中提供蚀刻气体,同时将蚀刻气体等离子体化,通过该等离子体化的蚀刻气体来蚀刻被处理体的SiC部分的步骤,其特征在于:提供给处理容器中的蚀刻气体包含CH 3 F。
公开/授权文献
- CN101667536B 被处理体的蚀刻方法 公开/授权日:2012-07-04